Строение сегнетоэлектрических пленок Hf$_{0.9}$La$_{0.1}$O$_2$, полученных методом атомно-слоевого осаждения

В работе изучаются тонкие пленки оксида гафния, легированные La, синтезированные методом плазма-стимулированного атомно-слоевого осаждения с последующим быстрым отжигом. Установлено, что исследуемые пленки имеют орторомбическую нецентросимметричную структуру с пространственной группой Pmn$2_1$. Показано, что пленки обладают сегнетоэлектрическими свойствами. Определено отношение атомных концентраций элементов в пленке и показано, что пленка состоит из смеси фаз HfO$_2$ и La$_2$O$_3$. Показано, что травление ионами аргона приводит к генерации кислородных вакансий в концентрации около $1$ ат.% в приповерхностной области пленки, причем вакансии образуются преимущественно за счет выбивания атомов кислорода в междоузельные позиции, с образованием пары Френкеля.