|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Строение сегнетоэлектрических пленок Hf$_{0.9}$La$_{0.1}$O$_2$, полученных методом атомно-слоевого осаждения
Т. В. Переваловab, В. А. Гриценкоcab, А. К. Гутаковскийa, И. П. Просвиринd a Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
c Новосибирский государственный технический университет, 630073 Новосибирск, Россия
d Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
В работе изучаются тонкие пленки оксида гафния, легированные La, синтезированные методом плазма-стимулированного атомно-слоевого осаждения с последующим быстрым отжигом. Установлено, что исследуемые пленки имеют орторомбическую нецентросимметричную структуру с пространственной группой Pmn$2_1$. Показано, что пленки обладают сегнетоэлектрическими свойствами. Определено отношение атомных концентраций элементов в пленке и показано, что пленка состоит из смеси фаз HfO$_2$ и La$_2$O$_3$. Показано, что травление ионами аргона приводит к генерации кислородных вакансий в концентрации около $1$ ат.% в приповерхностной области пленки, причем вакансии образуются преимущественно за счет выбивания атомов кислорода в междоузельные позиции, с образованием пары Френкеля.
Поступила в редакцию: 21.11.2018 Исправленный вариант: 21.11.2018 Принята в печать: 23.11.2018
Образец цитирования:
Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, А. К. Гутаковский, И. П. Просвирин, “Строение сегнетоэлектрических пленок Hf$_{0.9}$La$_{0.1}$O$_2$, полученных методом атомно-слоевого осаждения”, Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019), 112–117; JETP Letters, 109:2 (2019), 116–120
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5803 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v109/i2/p112
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 161 | PDF полного текста: | 24 | Список литературы: | 21 | Первая страница: | 2 |
|