|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007, том 85, выпуск 3, страницы 197–201
(Mi jetpl969)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 90 научных статьях (всего в 90 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Электронная структура $\alpha$-Al$_2$O$_3$: ab initio моделирование и сравнение с экспериментом
Т. В. Переваловa, А. В. Шапошниковa, В. А. Гриценкоa, Х. Вонгb, Ж. Х. Ханc, Ч. В. Кимc a Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН
b Electronic Engineering Department, City University of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Hong Kong, Korea
c Memory Division, Semiconductor Business, Samsung Electronics Co. Ltd, 449-711 San24, Nongseo-Dong, Kiheung-Gu, Yongin-City, Kyunggi-Do, Korea
Аннотация:
Методом ALD получены пленки Al$_2$O$_3$ толщиной 150 Å на кремнии и изучены рентгеновские XPS и ультрафиолетовые UPS фотоэлектронные спектры валентной зоны. Неэмпирическим ab-initio методом функционала плотности рассчитана электронная зонная структура корунда $\alpha$-Al$_2$O$_3$ и сопоставлена с результатами экспериментов. Валентная зона $\alpha$-Al$_2$O$_3$ состоит из двух подзон, разделенных ионной щелью. Нижняя зона сформирована, в основном, $2s$-состояниями кислорода. Верхняя зона сформирована $2p$-состояниями кислорода с вкладом $3s$-, $3p$-состояний алюминия. Наблюдается сильная анизотропия эффективной массы для дырок – $m^*_{h\perp}\approx6.3m_o$, $m^*_{h\|}\approx0.36m_0$. Значение эффективной массы электронов не зависит от направления $m^*_{e\|}\approx m^*_{e\perp}\approx0.4m_0$.
Поступила в редакцию: 21.09.2006 Исправленный вариант: 22.12.2006
Образец цитирования:
Т. В. Перевалов, А. В. Шапошников, В. А. Гриценко, Х. Вонг, Ж. Х. Хан, Ч. В. Ким, “Электронная структура $\alpha$-Al$_2$O$_3$: ab initio моделирование и сравнение с экспериментом”, Письма в ЖЭТФ, 85:3 (2007), 197–201; JETP Letters, 85:3 (2007), 165–168
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl969 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v85/i3/p197
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 586 | PDF полного текста: | 150 | Список литературы: | 43 |
|