|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Кремний-кремниевая Si–Si-связь как глубокая ловушка для электронов и дырок в нитриде кремния
А. А. Карпушинa, А. Н. Сорокинa, В. А. Гриценкоba a Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Предложена двухстадийная модель захвата электронов и дырок на ловушки в аморфном нитриде кремния Si$_3$N$_4$. В приближении сильной связи без использования подгоночных параметров рассчитана электронная структура собственного дефекта “Si–Si-связь” в Si$_3$N$_4$. Найдено объяснение таким свойствам Si–Si-связи, как гигантское сечение захвата электронов и дырок и гигантское время жизни захваченных носителей. Показано, что в нейтральном состоянии Si–Si-связь дает мелкие уровни вблизи дна зоны проводимости и верха валентной зоны, обладающие большим сечением захвата. При захвате на нее электрона или дырки за счет поляронного эффекта и изменения области локализации валентных электронов атомов Si–Si-связи происходит сдвиг мелких уровней в запрещенную зону на величину 1.4–1.5 эВ. В расчетах использован предложенный авторами новый способ параметризации матричных элементов гамильтониана сильной связи, учитывающий изменение области локализации валентных электронов изолированного атома при его встраивании в твердое тело.
Поступила в редакцию: 24.08.2015 Исправленный вариант: 25.11.2015
Образец цитирования:
А. А. Карпушин, А. Н. Сорокин, В. А. Гриценко, “Кремний-кремниевая Si–Si-связь как глубокая ловушка для электронов и дырок в нитриде кремния”, Письма в ЖЭТФ, 103:3 (2016), 189–193; JETP Letters, 103:3 (2016), 171–174
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4854 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v103/i3/p189
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 280 | PDF полного текста: | 185 | Список литературы: | 61 | Первая страница: | 46 |
|