|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. В. Малевская, Н. Д. Ильинская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, Ю. М. Задиранов, П. В. Покровский, А. А. Блохин, А. В. Андреева, “Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1086–1090   |
| 2. |
Е. В. Куницына, А. А. Пивоварова, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9–1.8 мкм”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 607–613 ; E. V. Kunitsyna, A. A. Pivovarova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Uncooled photodiodes for detecting pulsed infrared radiation in the spectral range of 0.9–1.8 $\mu$m”, Semiconductors, 55:7 (2021), 601–607 |
1
|
| 3. |
П. А. Иванов, Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков, “Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC диоды с прямой фаской”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 349–353 ; P. A. Ivanov, N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, T. P. Samsonova, O. I. Kon'kov, “High-voltage 4$H$-SiC based avalanche diodes with a negative beve”, Semiconductors, 55:4 (2021), 405–409 |
| 4. |
П. А. Иванов, Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, М. Ф. Кудояров, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков, Ю. М. Задиранов, “Высоковольтные 4$H$-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 188–194 ; P. A. Ivanov, N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, M. F. Kudoyarov, T. P. Samsonova, O. I. Kon'kov, Yu. M. Zadiranov, “High-voltage 4$H$-SiC Schottky diodes with field-plate edge termination”, Semiconductors, 55:2 (2021), 243–249 |
2
|
| 5. |
П. А. Иванов, М. Ф. Кудояров, Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, Т. П. Самсонова, “Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021), 48–50 ; P. A. Ivanov, M. F. Kudoyarov, N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, T. P. Samsonova, “High-voltage avalanche 4$H$-SiC diodes with a protective semi-insulating area”, Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 275–277 |
1
|
| 6. |
А. В. Малевская, Ю. М. Задиранов, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. Д. Ильинская, В. М. Андреев, “Плазмохимическое и жидкостное травление в постростовой технологии каскадных солнечных элементов на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021), 14–17 ; A. V. Malevskaya, Yu. M. Zadiranov, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. D. Il'inskaya, V. M. Andreev, “Plasmachemical and wet etching in the postgrowth technology of solar cells based on the GaInP/GaInAs/Ge heterostructure”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 114–117 |
3
|
|
2020 |
| 7. |
Н. М. Лебедева, Т. П. Самсонова, Н. Д. Ильинская, С. И. Трошков, П. А. Иванов, “Формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками cухим селективным травлением через маску из фоторезиста”, ЖТФ, 90:6 (2020), 997–1000 ; N. M. Lebedeva, T. P. Samsonova, N. D. Il'inskaya, S. I. Troshkov, P. A. Ivanov, “Formation of SiC mesastructures with gently sloping sidewalls by dry selective etching through a photoresist mask”, Tech. Phys., 65:6 (2020), 957–960 |
3
|
| 8. |
Е. В. Куницына, М. А. Ройз, И. А. Андреев, Е. А. Гребенщикова, А. А. Пивоварова, M. Ahmetoglu (Afrailov), Е. В. Лебедок, Р. Ю. Микулич, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2–2.3 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 677–683 ; E. V. Kunitsyna, M. A. Royz, I. A. Andreev, E. A. Grebenshchikova, A. A. Pivovarova, M. Ahmetoglu (Afrailov), E. V. Lebiadok, R. Yu. Mikulich, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes for detecting the emission of quantum-sized disk lasers operating on whispering gallery modes (2.2 – 2.3 $\mu$m)”, Semiconductors, 54:7 (2020), 796–802 |
| 9. |
Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, П. А. Иванов, “О защите высоковольтных мезаструктурных 4$H$-SiC-приборов от поверхностного пробоя: прямая фаска”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 207–211 ; N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, P. A. Ivanov, “Edge-termination technique for high-voltage mesa-structure 4$H$-SiC devices: negative beveling”, Semiconductors, 54:2 (2020), 258–262 |
3
|
| 10. |
Н. Д. Ильинская, Н. М. Лебедева, Ю. М. Задиранов, П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков, А. С. Потапов, “Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 97–102 ; N. D. Il'inskaya, N. M. Lebedeva, Yu. M. Zadiranov, P. A. Ivanov, T. P. Samsonova, O. I. Kon'kov, A. S. Potapov, “Micro-profiling of 4$H$-SiC by dry etching to form a Schottky barrier diode”, Semiconductors, 54:1 (2020), 144–149 |
3
|
|
2019 |
| 11. |
В. В. Романов, И. А. Белых, Э. В. Иванов, П. А. Алексеев, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Светодиоды на основе асимметричной двойной гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования CO$_{2}$ ($\lambda$ = 4.3 мкм) и CO ($\lambda$ = 4.7 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 832–838 ; V. V. Romanov, I. A. Belykh, E. V. Ivanov, P. A. Alekseev, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Light–emitting diodes based on asymmetrical double InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure for CO$_{2}$ ($\lambda$ = 4.3 $\mu$m) and CO ($\lambda$ = 4.7 $\mu$m) detection”, Semiconductors, 53:6 (2019), 822–827 |
6
|
| 12. |
А. В. Малевская, Н. Д. Ильинская, В. М. Андреев, “Разработка методов жидкостного травления разделительной меза-структуры при создании каскадных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 14–16 ; A. V. Malevskaya, N. D. Il'inskaya, V. M. Andreev, “Development of methods for liquid etching of a separation mesa-structure in creating multijunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1230–1232 |
6
|
|
2018 |
| 13. |
А. В. Бабичев, Г. А. Гусев, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, А. А. Усикова, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, В. Н. Неведомский, В. В. Дюделев, Г. С. Соколовский, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Ю. Егоров, “Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 9.6 $\mu$m”, ЖТФ, 88:10 (2018), 1559–1563 ; A. V. Babichev, G. A. Gusev, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, A. A. Usikova, Yu. M. Zadiranov, N. D. Il'inskaya, V. N. Nevedomskiy, V. V. Dyudelev, G. S. Sokolovskii, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. Yu. Egorov, “Lasing in 9.6-$\mu$m quantum cascade lasers”, Tech. Phys., 63:10 (2018), 1511–1515 |
13
|
| 14. |
А. В. Малевская, В. С. Калиновский, Н. Д. Ильинская, Д. А. Малевский, Е. В. Контрош, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей”, ЖТФ, 88:8 (2018), 1211–1215 ; A. V. Malevskaya, V. S. Kalinovskii, N. D. Il'inskaya, D. A. Malevskii, E. V. Kontrosh, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Influence of the ohmic contact structure on the performance of GaAs/AlGaAs photovoltaic converters”, Tech. Phys., 63:8 (2018), 1177–1181 |
5
|
| 15. |
Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, “Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6–2.8 $\mu$m”, ЖТФ, 88:2 (2018), 234–237 ; N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus, A. A. Usikova, “InAsSbP photodiodes for 2.6–2.8-$\mu$m wavelengths”, Tech. Phys., 63:2 (2018), 226–229 |
7
|
| 16. |
В. В. Мамутин, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, А. В. Лютецкий, “Полосковая структура для изорешеточных квантовых каскадных лазеров”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1499–1502 ; V. V. Mamutin, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, A. V. Lyutetskiy, “Ridge waveguide structure for lattice-matched quantum cascade lasers”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1603–1606 |
1
|
| 17. |
Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1094–1099 ; E. V. Kunitsyna, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “GaSb/GaAlAsSb heterostructure photodiodes for the near-IR spectral range”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1215–1220 |
4
|
| 18. |
М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Л. В. Данилов, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, Н. Д. Ильинская, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, Ю. П. Яковлев, “Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 906–911 ; M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, L. V. Danilov, E. V. Ivanov, E. V. Kunitsyna, N. D. Il'inskaya, R. V. Levin, B. V. Pushnii, Yu. P. Yakovlev, “Photoconductivity amplification in a type-II $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructure with a single QW”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1037–1042 |
1
|
| 19. |
В. В. Мамутин, А. П. Васильев, А. В. Лютецкий, Н. Д. Ильинская, Ю. М. Задиранов, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 812–815 ; V. V. Mamutin, A. P. Vasil'ev, A. V. Lyutetskiy, N. D. Il'inskaya, Yu. M. Zadiranov, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “On the fabrication and study of lattice-matched heterostructures for quantum cascade lasers”, Semiconductors, 52:7 (2018), 950–953 |
6
|
| 20. |
В. В. Мамутин, Н. А. Малеев, А. П. Васильев, Н. Д. Ильинская, Ю. М. Задиранов, А. А. Усикова, М. А. Яговкина, Ю. М. Шерняков, В. М. Устинов, “Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 133–137 ; V. V. Mamutin, N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, N. D. Il'inskaya, Yu. M. Zadiranov, A. A. Usikova, M. A. Yagovkina, Yu. M. Shernyakov, V. M. Ustinov, “Investigation of the modified structure of a quantum cascade laser”, Semiconductors, 52:1 (2018), 126–130 |
1
|
| 21. |
В. В. Мамутин, А. П. Васильев, А. В. Лютецкий, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, Ю. М. Задиранов, Н. А. Малеев, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, В. М. Устинов, “Квантовые каскадные лазеры с длиной волны излучения 4.8 $\mu$m, работающие при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 44:18 (2018), 17–23 ; V. V. Mamutin, A. P. Vasil'ev, A. V. Lyutetskiy, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, Yu. M. Zadiranov, N. A. Maleev, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, V. M. Ustinov, “Quantum-cascade lasers generating at the 4.8-$\mu$m wavelength at room temperature”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 814–816 |
2
|
| 22. |
М. С. Буяло, И. М. Гаджиев, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Е. С. Колодезный, В. Е. Бугров, А. Ю. Егоров, Е. Л. Портной, “Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе “тонких” квантовых ям”, Письма в ЖТФ, 44:4 (2018), 95–102 ; M. S. Buyalo, I. M. Gadzhiev, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, E. S. Kolodeznyi, V. E. Bugrov, A. Yu. Egorov, E. L. Portnoǐ, “Mode-locked lasers with “thin” quantum wells in 1.55 $\mu$m spectral range”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 174–177 |
1
|
|
2017 |
| 23. |
А. Л. Закгейм, Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, А. Е. Черняков, “Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 269–275 ; A. L. Zakhgeim, N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus, A. A. Usikova, A. E. Chernyakov, “Spatial redistribution of radiation in flip-chip photodiodes based on InAsSbP/InAs double heterostructures”, Semiconductors, 51:2 (2017), 260–266 |
13
|
|
2016 |
| 24. |
И. В. Алтухов, С. Е. Дижур, М. С. Каган, С. К. Папроцкий, Н. А. Хвальковский, А. Д. Буравлев, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, В. М. Устинов, “Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016), 128–131 ; I. V. Altukhov, S. E. Dizhur, M. S. Kagan, S. K. Paprotskiy, N. A. Khval'kovskii, A. D. Buravlev, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, V. M. Ustinov, “Effect of a terahertz cavity on the conductivity of short-period GaAs/AlAs superlattices”, JETP Letters, 103:2 (2016), 122–124   |
19
|
| 25. |
И. М. Гаджиев, М. С. Буяло, А. Е. Губенко, А. Ю. Егоров, А. А. Усикова, Н. Д. Ильинская, А. В. Лютецкий, Ю. М. Задиранов, Е. Л. Портной, “Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 843–847 ; I. M. Gadzhiev, M. S. Buyalo, A. E. Gubenko, A. Yu. Egorov, A. A. Usikova, N. D. Il'inskaya, A. V. Lyutetskiy, Yu. M. Zadiranov, E. L. Portnoǐ, “Switching between the mode-locking and Q-switching modes in two-section QW lasers upon a change in the absorber properties due to the Stark effect”, Semiconductors, 50:6 (2016), 828–831 |
3
|
| 26. |
Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Н. Г. Карпухина, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, “Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 657–662 ; N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, N. G. Karpukhina, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus, A. A. Usikova, “Photodiode 1 $\times$ 64 linear array based on a double $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs heterostructure”, Semiconductors, 50:5 (2016), 646–651 |
3
|
|
1991 |
| 27. |
Д. З. Гарбузов, И. Э. Беришев, Ю. В. Ильин, Н. Д. Ильинская, А. В. Овчинников, Н. А. Пихтин, Н. Л. Рассудов, И. С. Тарасов, “Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых
зарощенных InGaAsP/InP-лазеров ($\lambda=1.3$ мкм) с мощностью
излучения 160 мВт”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1414–1418 |
| 28. |
Д. З. Гарбузов, И. Э. Беришев, Ю. В. Ильин, Н. Д. Ильинская, Н. А. Пихтин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Зарощенные одномодовые непрерывные
InGaAsP/InP лазеры раздельного ограничения
(${\lambda=1.3}$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 17:6 (1991), 17–21 |
| 29. |
В. А. Дмитриев, Л. Б. Елфимов, Н. Д. Ильинская, С. В. Рендакова, “Локальная эпитаксия карбида кремния из жидкой фазы”, Письма в ЖТФ, 17:4 (1991), 77–80 |
|
1990 |
| 30. |
А. Т. Гореленок, Н. Д. Ильинская, М. И. Костина, Е. С. Новикова, М. А. Панченко, А. Э. Петров, “Диагностика гетерограниц InGaAsP/InP по оже-профилям косого шлифа,
полученного химическим травлением”, ЖТФ, 60:10 (1990), 177–180 |
| 31. |
В. И. Васильев, Н. Д. Ильинская, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, В. А. Мишурный, В. В. Сазонов, В. В. Смирницкий, Н. Н. Фалеев, “Инжекционные гетеролазеры с РОС в системе InGaAsSb/GaSb”, Письма в ЖТФ, 16:2 (1990), 58–62 |
|
1988 |
| 32. |
Ж. И. Алфров, В. И. Босый, А. Т. Гореленок, А. В. Иващук, Н. Д. Ильинская, М. Н. Мизеров, И. А. Мокина, Д. Н. Рехвиашвили, Н. М. Шмидт, “Барьеры Шоттки и полевые транзисторы на основе
InGaAs/InP”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988), 1807–1810 |
| 33. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, Н. Д. Ильинская, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Высокотемпературный SiC-6H полевой транзистор с $p{-}n$-затвором”, Письма в ЖТФ, 14:4 (1988), 289–293 |
|
1987 |
| 34. |
Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, Н. Д. Ильинская, В. И. Колышкин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, М. К. Трукан, “Исследование срока службы непрерывных мезаполосковых
InGaAsP/InP (${\lambda=1.3}$ мкм лазеров раздельного ограничения”, ЖТФ, 57:9 (1987), 1822–1824 |
| 35. |
Н. Д. Ильинская, С. А. Никишин, М. А. Синицын, Д. В. Синявский, Л. П. Сорокина, Б. С. Явич, “Токовое управление профилем толщины и «токовое раскисление»слоев (AlGa)As, выращенных в канавках”, ЖТФ, 57:4 (1987), 778–782 |
| 36. |
Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, Н. Д. Ильинская, К. Ю. Кижаев, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, Н. А. Стругов, И. С. Тарасов, “Мощные $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО лазеры для ВОЛС ($\lambda=1,55$ мкм; $T=300$ K; $P=50$ мВт)”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987), 535–537 |
|
1985 |
| 37. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, Т. В. Декальчук, Н. Д. Ильинская, И. С. Тарасов, А. А. Декальчук, И. А. Мокина, “Мезаполосковые
InGaAsP/InP (${\lambda=1.5}$ мкм) лазеры непрерывного действия”, ЖТФ, 55:9 (1985), 1872–1876 |
| 38. |
В. М. Андреев, А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. Г. Данильченко, Н. Д. Ильинская, В. И. Корольков, Н. М. Сараджишвили, Л. М. Федоров, Н. М. Шмидт, М. С. Богданович, Н. З. Жингарев, Л. Б. Карлина, В. В. Мамутин, И. А. Мокина, “Исследование $pin$-фотодиодов на основе
InGaAsP/InP”, ЖТФ, 55:8 (1985), 1566–1569 |
| 39. |
Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, Н. Ю. Давидюк, Н. Д. Ильинская, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Мощные мезаполосковые РО $In\,Ga\,As/In\,P$ лазеры для ВОЛС ($\lambda= 1.3$ мкм, $T=18^{\circ}$ С, $I =300$ мА, $P=28$ мВт в волокне $\varnothing$ $50$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 11:22 (1985), 1345–1349 |
|
1984 |
| 40. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. Г. Данильченко, Н. Д. Ильинская, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, И. А. Мокина, Н. М. Сараджишвили, Т. С. Табаров, Н. М. Шмидт, “Фототранзистор на основе
$N{-}p{-}N$ гетероструктур InP-InGaAsP”, Письма в ЖТФ, 10:21 (1984), 1294–1297 |
| 41. |
Д. З. Гарбузов, В. Г. Агафонов, Н. Ю. Давидюк, М. К. Трукан, Н. Д. Ильинская, В. П. Чалый, Т. Н. Дрокина, “Спонтанные торцевые
InGaAsP/InP-ДГС
излучатели для ВОЛС с диаметром 200 мкм”, Письма в ЖТФ, 10:21 (1984), 1286–1290 |
| 42. |
Ж. И. Алфров, К. А. Гацоев, А. Т. Гореленок, Н. Д. Ильинская, И. С. Тарасов, “Низкопороговые мезаполосковые
JnGaAsP/JnP лазеры непрерывного действия (${\lambda\simeq 1.3}$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 10:16 (1984), 961–964 |
|
1983 |
| 43. |
Д. З. Гарбузов, К. А. Гацоев, А. Т. Гореленок, А. Г. Дзигасов, Н. Д. Ильинская, В. Б. Халфин, “Торцевые спонтанные излучатели на основе
ДГС InGaAsP (${\lambda\approx1.3}$ мкм) с ${\eta_{e}\approx6}$% при 300 K”, ЖТФ, 53:7 (1983), 1408–1411 |
|
Обратная связь: