Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью

Изготовлены высоковольтные 4$H$-SiC-диоды с контролируемым лавинным пробоем при обратном напряжении 1460 V. Для устранения краевых эффектов на периферии диодов формировалась полуизолирующая область с помощью облучения высокоэнергетическими (53 MeV) ионами аргона. Изготовленные диоды функционируют при плотностях лавинного тока $\sim$10$^{3}$ A/cm$^{2}$; лавинное сопротивление составляет не более 0.03 $\Omega$ $\cdot$ cm$^{2}$. При длительности импульсов тока 4 $\mu$s лавинная энергия, рассеиваемая диодами до отказа (вследствие вторичного теплового пробоя), и локальный температурный перегрев составляют 5 J/cm$^{2}$ и 850$^\circ$C соответственно.