|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур
Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Созданы и исследованы неохлаждаемые GaSb/GaAlAsSb-фотодиоды для спектрального диапазона 1.1–1.85 мкм. Уникальный метод выращивания GaSb из свинцовых растворов-расплавов позволил достичь низкой концентрации носителей в активной области $n$ = 2 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-3}$. Емкость фотодиодов составляла 70–110 пФ при диаметре чувствительной площадки 300 мкм и 150-250 пФ при диаметре 500 мкм соответственно. Для приборов на основе GaSb разработанные фотодиоды характеризуются высокой спектральной чувствительностью $S_\lambda$ = 0.95 А/Вт в максимуме, относительно малой величиной плотности обратного темнового тока $j$ = (4–9) $\cdot$ 10$^{-3}$ А/см$^{2}$ при $U_{\operatorname{rev}}$ = 1.0–2.0 В, высоким быстродействием (время отклика 5–10 нс).
Поступила в редакцию: 29.01.2017 Принята в печать: 05.02.2017
Образец цитирования:
Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1094–1099; Semiconductors, 52:9 (2018), 1215–1220
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5744 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p1094
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 28 |
|