Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 1094–1099
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46158.8830
(Mi phts5744)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур

Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Созданы и исследованы неохлаждаемые GaSb/GaAlAsSb-фотодиоды для спектрального диапазона 1.1–1.85 мкм. Уникальный метод выращивания GaSb из свинцовых растворов-расплавов позволил достичь низкой концентрации носителей в активной области $n$ = 2 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-3}$. Емкость фотодиодов составляла 70–110 пФ при диаметре чувствительной площадки 300 мкм и 150-250 пФ при диаметре 500 мкм соответственно. Для приборов на основе GaSb разработанные фотодиоды характеризуются высокой спектральной чувствительностью $S_\lambda$ = 0.95 А/Вт в максимуме, относительно малой величиной плотности обратного темнового тока $j$ = (4–9) $\cdot$ 10$^{-3}$ А/см$^{2}$ при $U_{\operatorname{rev}}$ = 1.0–2.0 В, высоким быстродействием (время отклика 5–10 нс).
Поступила в редакцию: 29.01.2017
Принята в печать: 05.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 9, Pages 1215–1220
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618090099
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1094–1099; Semiconductors, 52:9 (2018), 1215–1220
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KunAndKon18}
\by Е.~В.~Куницына, И.~А.~Андреев, Г.~Г.~Коновалов, Э.~В.~Иванов, А.~А.~Пивоварова, Н.~Д.~Ильинская, Ю.~П.~Яковлев
\paper Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1094--1099
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5744}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46158.8830}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903557}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1215--1220
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618090099}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5744
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p1094
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024