Светодиоды на основе асимметричной двойной гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования CO$_{2}$ ($\lambda$ = 4.3 мкм) и CO ($\lambda$ = 4.7 мкм)

Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений выращены асимметричные двойные гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP. На основе гетероструктур были созданы светодиоды двух типов (A и B) с длиной волны в максимуме спектра излучения 4.1 и 4.7 мкм соответственно. Исследованы их вольт-амперные и электролюминесцентные характеристики при комнатной температуре. Мощность излучения для светодиодов A и B в квазинепрерывном режиме (частота – 512 Гц) при токе 250 мА составляла 24 и 15 мкВт соответственно. В импульсном режиме (частота – 512 Гц, длительность – 1 мкс) мощность излучения для светодиодов A и B при токе 2.1 А достигала 158 и 76 мкВт соответственно. Разработанные светодиоды могут быть использованы как высокоэффективные источники излучения в оптических абсорбционных сенсорах, предназначенных для регистрации углекислого и угарного газов в атмосфере.