|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Твердотельная электроника
Формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками cухим селективным травлением через маску из фоторезиста
Н. М. Лебедева, Т. П. Самсонова, Н. Д. Ильинская, С. И. Трошков, П. А. Иванов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Продемонстрировано формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками с помощью селективного реактивно-ионного травления (Reactive Ion Etching, RIE) карбида кремния через маску из фоторезиста (наклонные стенки сформированы при одновременном травлении SiC и резистивной маски, край которой имеет форму острого клина). Простая геометрическая модель травления предсказывает, что результирующий угол наклона стенки мезаструктуры должен задаваться двумя параметрами – исходным углом резистивного клина и селективностью травления SiC по отношению к фоторезисту (отношением скоростей травления SiC и фоторезиста). Для экспериментов использовались полированные пластины 4$H$-SiC с ориентацией (0001). На Si-стороне пластин фотолитографическими методами были нанесены площадки из фоторезиста с краевым углом 22$^\circ$. Затем проводилось травление мезаструктур в трифториде азота в установке с индуктивно-связанной плазмой. Были подобраны параметры RIE-процесса, обеспечивающие травление SiC и фоторезиста со скоростями 55 и 160 nm/min соответственно (селективность травления 1:3). Сформированные травлением SiC-мезаструктуры имеют высоту 3.2 $\mu$m и пологие боковые стенки с углом наклона около 8$^\circ$. Данная технология может использоваться при изготовлении высоковольтных SiC-приборов с прямой фаской.
Ключевые слова:
карбид кремния, мезаструктура, наклонные стенки, фотолитография, реактивно-ионное травление.
Поступила в редакцию: 15.01.2020 Исправленный вариант: 15.01.2020 Принята в печать: 15.01.2020
Образец цитирования:
Н. М. Лебедева, Т. П. Самсонова, Н. Д. Ильинская, С. И. Трошков, П. А. Иванов, “Формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками cухим селективным травлением через маску из фоторезиста”, ЖТФ, 90:6 (2020), 997–1000; Tech. Phys., 65:6 (2020), 957–960
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5290 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v90/i6/p997
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 47 | PDF полного текста: | 25 |
|