Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 2, страницы 269–275
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44117.8380 (Mi phts6245) 		 
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs

А. Л. Закгеймa, Н. Д. Ильинскаяb, С. А. Карандашевb, А. А. Лавровc, Б. А. Матвеевb, М. А. Ременныйb, Н. М. Стусьb, А. А. Усиковаb, А. Е. Черняковa

a Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c ООО "ИоффеЛЕД", г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (1128 kB) Список цитирования (13)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44117.8380
Аннотация: Проведены измерения и анализ пространственного распределения равновесного и неравновесного (в том числе люминесцентного) излучения в средневолновых ИК флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs ($\lambda_{\operatorname{max}}$ = 3.4 мкм) с учетом конструктивных особенностей фотодиодов, включая отражательные свойства омических контактов. Сделана оценка увеличения оптической площади сбора фотонов за счет лучей, испытывающих многократные отражения внутри полупроводниковых чипов с различающимися геометрическими характеристиками.
Поступила в редакцию: 26.07.2016
Принята в печать: 01.08.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 2, Pages 260–266
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617020269
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Л. Закгейм, Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, А. Е. Черняков, “Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 269–275; Semiconductors, 51:2 (2017), 260–266
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZakIliKar17}
\by А.~Л.~Закгейм, Н.~Д.~Ильинская, С.~А.~Карандашев, А.~А.~Лавров, Б.~А.~Матвеев, М.~А.~Ременный, Н.~М.~Стусь, А.~А.~Усикова, А.~Е.~Черняков
\paper Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 2
\pages 269--275
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6245}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44117.8380}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29006010}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 2
\pages 260--266
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617020269}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6245
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i2/p269
    • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024