|
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
А. Л. Закгеймa, Н. Д. Ильинскаяb, С. А. Карандашевb, А. А. Лавровc, Б. А. Матвеевb, М. А. Ременныйb, Н. М. Стусьb, А. А. Усиковаb, А. Е. Черняковa a Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c ООО "ИоффеЛЕД", г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Проведены измерения и анализ пространственного распределения равновесного и неравновесного (в том числе люминесцентного) излучения в средневолновых ИК флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs ($\lambda_{\operatorname{max}}$ = 3.4 мкм) с учетом конструктивных особенностей фотодиодов, включая отражательные свойства омических контактов. Сделана оценка увеличения оптической площади сбора фотонов за счет лучей, испытывающих многократные отражения внутри полупроводниковых чипов с различающимися геометрическими характеристиками.
Поступила в редакцию: 26.07.2016 Принята в печать: 01.08.2016
Образец цитирования:
А. Л. Закгейм, Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, А. Е. Черняков, “Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 269–275; Semiconductors, 51:2 (2017), 260–266
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6245 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i2/p269
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 37 | PDF полного текста: | 9 |
|