Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1499–1502
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46764.8916 (Mi phts5667) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Полосковая структура для изорешеточных квантовых каскадных лазеров

В. В. Мамутин, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, А. В. Лютецкий

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (328 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46764.8916
Аннотация: Описано получение и исследование гребневой полосковой структуры (ridge waveguide) для квантового каскадного лазера на подложке фосфида индия, рассчитанного на длину волны 4.8 мкм, что соответствует одному из окон прозрачности атмосферы. Гетероструктура была выращена молекулярно-пучковой эпитаксией и состояла из 30 каскадов. Постростовая обработка проводилась методом фотолитографии на отечественном оборудовании. Полученная полосковая структура позволила достичь лазерной генерации на требуемой длине волны при комнатной температуре.
Поступила в редакцию: 23.05.2018
Принята в печать: 28.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 12, Pages 1603–1606
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261812014X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Мамутин, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, А. В. Лютецкий, “Полосковая структура для изорешеточных квантовых каскадных лазеров”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1499–1502; Semiconductors, 52:12 (2018), 1603–1606
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MamIliUsi18}
\by В.~В.~Мамутин, Н.~Д.~Ильинская, А.~А.~Усикова, А.~В.~Лютецкий
\paper Полосковая структура для изорешеточных квантовых каскадных лазеров
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1499--1502
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5667}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46764.8916}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903641}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1603--1606
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261812014X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5667
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1499
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:20
    PDF полного текста:5
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024