Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2018, том 88, выпуск 2, страницы 234–237
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2018.02.45414.2371 (Mi jtf5995) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Твердотельная электроника

Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6–2.8 $\mu$m

Н. Д. Ильинскаяa, С. А. Карандашевa, А. А. Лавровab, Б. А. Матвеевa, М. А. Ременныйa, Н. М. Стусьab, А. А. Усиковаa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "ИоффеЛЕД", г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (398 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2018.02.45414.2371
Аннотация: Приведены результаты исследований фотоэлектрических, вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик фотодиодов (ФД) на основе гетероструктур InAsSbP/InAs, работающих при комнатной температуре и чувствительных в диапазоне длин волн 2.6–2.8 $\mu$m. Полученные характеристики ФД и анализ литературных данных позволяют судить о перспективности использования таких фотоприемников в ряде практических приложений.
Поступила в редакцию: 01.06.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2018, Volume 63, Issue 2, Pages 226–229
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784218020172
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, “Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6–2.8 $\mu$m”, ЖТФ, 88:2 (2018), 234–237; Tech. Phys., 63:2 (2018), 226–229
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IliKarLav18}
\by Н.~Д.~Ильинская, С.~А.~Карандашев, А.~А.~Лавров, Б.~А.~Матвеев, М.~А.~Ременный, Н.~М.~Стусь, А.~А.~Усикова
\paper Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6--2.8 $\mu$m
\jour ЖТФ
\yr 2018
\vol 88
\issue 2
\pages 234--237
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5995}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2018.02.45414.2371}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739982}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2018
\vol 63
\issue 2
\pages 226--229
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784218020172}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5995
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v88/i2/p234
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:49
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024