Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2018, том 88, выпуск 8, страницы 1211–1215
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2018.08.46311.2591 (Mi jtf5843) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Твердотельная электроника

Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей

А. В. Малевская, В. С. Калиновский, Н. Д. Ильинская, Д. А. Малевский, Е. В. Контрош, М. З. Шварц, В. М. Андреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (1474 kB) Список цитирования (6)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2018.08.46311.2591
Аннотация: Разработана многослойная система омических контактов для GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей излучения. Предложена и исследована технология “чернения” омических контактов с целью уменьшения коэффициента отражения оптического сигнала от поверхности многослойного контакта на основе структуры Ag/Au/Ag. Достигнуто снижение коэффициента отражения излучения от контактов более чем в 10 раз за счет чернения омических контактов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-79-30035
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект № 17-79-30035).
Поступила в редакцию: 08.12.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2018, Volume 63, Issue 8, Pages 1177–1181
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378421808011X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Малевская, В. С. Калиновский, Н. Д. Ильинская, Д. А. Малевский, Е. В. Контрош, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей”, ЖТФ, 88:8 (2018), 1211–1215; Tech. Phys., 63:8 (2018), 1177–1181
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MalKalIli18}
\by А.~В.~Малевская, В.~С.~Калиновский, Н.~Д.~Ильинская, Д.~А.~Малевский, Е.~В.~Контрош, М.~З.~Шварц, В.~М.~Андреев
\paper Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей
\jour ЖТФ
\yr 2018
\vol 88
\issue 8
\pages 1211--1215
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5843}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2018.08.46311.2591}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269878}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2018
\vol 63
\issue 8
\pages 1177--1181
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378421808011X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5843
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v88/i8/p1211
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024