Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 657–662 (Mi phts6468)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs

Н. Д. Ильинскаяa, С. А. Карандашевa, Н. Г. Карпухинаb, А. А. Лавровab, Б. А. Матвеевa, М. А. Ременныйa, Н. М. Стусьab, А. А. Усиковаa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "ИоффеЛЕД", г. Санкт-Петербург
Аннотация: Приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик, фотоэлектрических и люминесцентных свойств монолитной диодной линейки 1 $\times$ 64 на основе двойной гетероструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAsSb/$n^{+}$-InAs, освещаемой со стороны подложки $n^{+}$-InAs и чувствительной в области 4 мкм. Проведен анализ механизмов токопрохождения в диапазоне температур 77–353 K, а также фоточувствительности и быстродействия с учетом пространственного распределения неравновесного излучения и данных вольт-фарадных измерений.
Поступила в редакцию: 13.10.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 5, Pages 646–651
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616050122
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Н. Г. Карпухина, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, “Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 657–662; Semiconductors, 50:5 (2016), 646–651
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IliKarKar16}
\by Н.~Д.~Ильинская, С.~А.~Карандашев, Н.~Г.~Карпухина, А.~А.~Лавров, Б.~А.~Матвеев, М.~А.~Ременный, Н.~М.~Стусь, А.~А.~Усикова
\paper Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 657--662
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6468}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368890}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 646--651
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616050122}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6468
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i5/p657
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024