|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 657–662
(Mi phts6468)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs
Н. Д. Ильинскаяa, С. А. Карандашевa, Н. Г. Карпухинаb, А. А. Лавровab, Б. А. Матвеевa, М. А. Ременныйa, Н. М. Стусьab, А. А. Усиковаa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "ИоффеЛЕД", г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик, фотоэлектрических и люминесцентных свойств монолитной диодной линейки 1 $\times$ 64 на основе двойной гетероструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAsSb/$n^{+}$-InAs, освещаемой со стороны подложки $n^{+}$-InAs и чувствительной в области 4 мкм. Проведен анализ механизмов токопрохождения в диапазоне температур 77–353 K, а также фоточувствительности и быстродействия с учетом пространственного распределения неравновесного излучения и данных вольт-фарадных измерений.
Поступила в редакцию: 13.10.2015
Образец цитирования:
Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Н. Г. Карпухина, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, “Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 657–662; Semiconductors, 50:5 (2016), 646–651
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6468 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i5/p657
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 37 | PDF полного текста: | 10 |
|