Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Zhuravlev, Konstantin Sergeevich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 37
Scientific articles: 37

Number of views:
This page:240
Abstract pages:2734
Full texts:995
References:286
Head Scientist Researcher
Doctor of physico-mathematical sciences

https://www.mathnet.ru/eng/person57598
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2023
1. D. V. Gulyaev, K. S. Zhuravlev, “InP-based electro-optic and electro-absorption modulators for the 1.5-μm spectral range”, Kvantovaya Elektronika, 53:11 (2023),  821–832  mathnet [Bull. Lebedev Physics Institute, 51:suppl. 2 (2024), S101–S116]
2021
2. D. V. Gulyaev, D. V. Dmitriev, N. V. Fateev, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, K. S. Zhuravlev, “GaAs/AlGaAs- and InGaAs/AlGaAs heterostructures for high-power semiconductor infrared emitters”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 91:11 (2021),  1727–1731  mathnet  elib
3. K. S. Zhuravlev, A. M. Gilinskii, I. B. Chistokhin, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. S. Aksenov, A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, “High-power microwave photodiodes based on MBE-grown InAlAs/InGaAs heterostructures”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 91:7 (2021),  1158–1163  mathnet  elib; Tech. Phys., 66:9 (2021), 1072–1077  scopus 4
4. D. V. Dmitriev, D. A. Kolosovsky, E. V. Fedosenko, A. I. Toropov, K. S. Zhuravlev, “Substitution of phosphorus at the InP(001) surface upon annealing in an arsenic flux”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:10 (2021),  877–881  mathnet; Semiconductors, 55:11 (2021), 823–837 5
5. P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Features of optical gain in heavily doped Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-structures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:14 (2021),  39–42  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 692–695 1
6. S. A. Bogdanov, A. K. Bakarov, K. S. Zhuravlev, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, I. A. Rogachev, E. V. Tereshkin, S. V. Sherbakov, “A millimeter-wave field-effect transistor based on a pseudomorphic heterostructure with an additional potential barrier”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:7 (2021),  52–54  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 329–332
7. M. A. Sukhanov, A. K. Bakarov, K. S. Zhuravlev, “AlSb/InAs heterostructures for microwave transistors”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:3 (2021),  37–39  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 139–142
2020
8. M. A. Sukhanov, A. K. Bakarov, D. Yu. Protasov, K. S. Zhuravlev, “AlInSb/InSb heterostructures for IR photodetectors grown by molecular-beam epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:4 (2020),  3–6  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 154–157 3
2019
9. D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, I. A. Aleksandrov, N. V. Rzheutskii, E. V. Lebiadok, A. A. Razumets, K. S. Zhuravlev, “Forming the GaN nanocrystals on the graphene-like $g$-AlN and $g$-Si$_{3}$N$_{3}$ surface”, Fizika Tverdogo Tela, 61:12 (2019),  2327–2332  mathnet  elib; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2329–2334 1
10. N. N. Novikova, V. A. Yakovlev, S. A. Klimin, T. V. Malin, A. M. Gilinskii, K. S. Zhuravlev, “Surface polaritons in silicon-doped aluminum and gallium nitride films”, Optics and Spectroscopy, 127:1 (2019),  42–45  mathnet  elib; Optics and Spectroscopy, 127:1 (2019), 36–39 2
11. K. A. Svit, K. S. Zhuravlev, “On the processes of the self-assembly of cds nanocrystal arrays formed by the Langmuir–Blodgett technique”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:11 (2019),  1573–1578  mathnet  elib; Semiconductors, 53:11 (2019), 1540–1544 2
12. P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Optical gain in heavily doped Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si structures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:18 (2019),  48–51  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:9 (2019), 951–954 2
13. T. V. Malin, D. S. Milakhin, I. A. Aleksandrov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. A. Zaitsev, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. G. Mansurov, K. S. Zhuravlev, “Undoped high-resistance GaN buffer layer for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:15 (2019),  21–24  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 761–764 5
14. A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, K. S. Zhuravlev, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, N. A. Valisheva, M. S. Aksenov, A. M. Gilinskii, I. B. Chistokhin, “High-power high-speed Schottky photodiodes for analog fiber-optic microwave signal transmission lines”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:14 (2019),  52–54  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 739–741 10
15. I. B. Chistokhin, M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, I. V. Marchishin, A. I. Toropov, K. S. Zhuravlev, “The influence of the InAlAs layer surface morphology on the temperature dependence of parameters of Au/Ti/$n$-InAlAs (001) Schottky diodes”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:4 (2019),  59–62  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 180–184
2018
16. V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, T. V. Malin, S. A. Teys, E. V. Fedosenko, A. S. Kozhukhov, K. S. Zhuravlev, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Formation of a graphene-like SiN layer on the surface Si(111)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1407–1413  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1511–1517 5
17. T. V. Malin, D. S. Milakhin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, V. V. Ratnikov, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, K. S. Zhuravlev, “Effect of the sapphire-nitridation level and nucleation-layer enrichment with aluminum on the structural properties of AlN layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:6 (2018),  643–650  mathnet  elib; Semiconductors, 52:6 (2018), 789–796 8
18. V. V. Ratnikov, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, I. V. Osinnykh, T. V. Malin, K. S. Zhuravlev, “Change in the character of biaxial stresses with an increase in $x$ from 0 to 0.7 in Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si layers obtained by ammonia molecular beam epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:2 (2018),  233–237  mathnet  elib; Semiconductors, 52:2 (2018), 221–225 1
19. D. Yu. Protasov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, K. S. Zhuravlev, “Mobility of the two-dimensional electron gas in DA-$p$HEMT heterostructures with various $\delta$–$n$-layer profile widths”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:1 (2018),  48–56  mathnet  elib; Semiconductors, 52:1 (2018), 44–52 3
20. D. Yu. Protasov, D. V. Gulyaev, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, E. V. Erofeev, K. S. Zhuravlev, “Increasing saturated electron-drift velocity in donor–acceptor doped phemt heterostructures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:6 (2018),  77–84  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 260–262 6
21. P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Amplified luminescence of heavily doped Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N structures under optical pumping”, Kvantovaya Elektronika, 48:3 (2018),  215–221  mathnet  elib [Quantum Electron., 48:3 (2018), 215–221  isi  scopus]
2017
22. D. V. Gulyaev, S. A. Batsanov, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, “Nature of luminescence of PbS quantum dots synthesized in a Langmuir–Blodgett matrix”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 106:1 (2017),  21–25  mathnet  elib; JETP Letters, 106:1 (2017), 18–22  isi  scopus
23. A. K. Bakarov, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, A. P. Kovchavtsev, A. I. Toropov, I. D. Burlakov, K. O. Boltar, P. V. Vlasov, A. A. Lopukhin, “MBE-grown InSb photodetector arrays”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 87:6 (2017),  900–904  mathnet  elib; Tech. Phys., 62:6 (2017), 915–919 8
24. D. Yu. Protasov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, K. S. Zhuravlev, “Mobility of the two-dimensional electron gas in DA-$p$HEMT heterostructures with various $\delta$–$n$-layer profile widths”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:12 (2017),  1696  mathnet; Semiconductors, 52:1 (2018), 44–52 3
25. A. A. Zarubanov, V. F. Plyusnin, K. S. Zhuravlev, “Electronic excitation transfer from an organic matrix to CdS nanocrystals produced by the Langmuir–Blodgett method”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:5 (2017),  605–610  mathnet  elib; Semiconductors, 51:5 (2017), 576–581 3
26. K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, V. G. Mansurov, O. E. Tereshchenko, K. K. Abgaryan, D. L. Reviznikov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, Ya. M. Parnes, V. G. Tikhomirov, I. P. Prosvirin, “AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:3 (2017),  395–402  mathnet  elib; Semiconductors, 51:3 (2017), 379–386 5
27. I. B. Chistokhin, M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, K. S. Zhuravlev, A. A. Guzev, “Features of current flow in structures based on Au/Ti/$n$-InAlAs Schottky barriers”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:12 (2017),  83–89  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 43:6 (2017), 581–583
28. P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, Dm. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Radiation enhancement in doped AlGaN-structures upon optical pumping”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:1 (2017),  5–13  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 46–49 2
2016
29. I. A. Aleksandrov, V. G. Mansurov, K. S. Zhuravlev, “Photoluminescence kinetics slowdown in an ensemble of GaN/AlN quantum dots upon tunneling interaction with defects”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:8 (2016),  1059–1063  mathnet  elib; Semiconductors, 50:8 (2016), 1038–1042
30. I. A. Aleksandrov, K. S. Zhuravlev, V. G. Mansurov, “Influence of defects on the photoluminescence kinetics in GaN/AlN quantum-dot structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:2 (2016),  191–194  mathnet  elib; Semiconductors, 50:2 (2016), 191–194 1
31. A. A. Borisov, K. S. Zhuravlev, S. S. Zyrin, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, A. A. Makovetskaya, V. I. Novoselets, A. B. Pashkovskii, A. I. Toropov, N. D. Ursulyak, S. V. Sherbakov, “Studying average electron drift velocity in pHEMT structures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:16 (2016),  41–47  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 848–851 5
32. K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, V. G. Mansurov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, Ya. M. Parnes, “Normally off transistors based on in situ passivated AlN/GaN heterostructures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:14 (2016),  72–79  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 750–753 3
2012
33. A. A. Zarubanov, K. S. Zhuravlev, T. A. Duda, A. V. Okotrub, “Electronic excitation energy transfer between CdS quantum dots and carbon nanotubes”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 95:7 (2012),  403–407  mathnet  elib; JETP Letters, 95:7 (2012), 362–365  isi  elib  scopus 9
2010
34. I. A. Aleksandrov, K. S. Zhuravlev, V. G. Mansurov, P. Holtz, “Linearly polarized photoluminescence from an ensemble of wurtzite GaN/AlN quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 91:9 (2010),  498–500  mathnet; JETP Letters, 91:9 (2010), 452–454  isi  scopus 2
2005
35. D. D. Ri, V. G. Mansurov, A. Yu. Nikitin, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, P. Tronc, “Photoluminescence kinetics of wurtzite GaN quantum dots in an AlN matrix”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 81:2 (2005),  70–73  mathnet; JETP Letters, 81:2 (2005), 62–65  isi  scopus 4
2003
36. A. V. Efanov, K. S. Zhuravlev, T. S. Shamirzaev, W. Kellner, H. Pasher, “Observation of exchange interaction effects under optical orientation of excitons in AlGaAs”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 77:10 (2003),  664–667  mathnet; JETP Letters, 77:10 (2003), 561–564  scopus 1
37. T. S. Shamirzaev, A. M. Gilinskii, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, D. A. Tenne, K. S. Zhuravlev, C. von Borczyskowski, D. Zahn, “Millisecond photoluminescence kinetics in a system of direct-bandgap InAs quantum dots in an AlAs matrix”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 77:7 (2003),  459–463  mathnet; JETP Letters, 77:7 (2003), 389–392  scopus 29

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024