|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
В. А. Ткаченко, А. С. Ярошевич, З. Д. Квон, О. А. Ткаченко, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев, “СВЧ-отклик квантового точечного контакта”, Письма в ЖЭТФ, 114:2 (2021), 108–113  ; V. A. Tkachenko, A. S. Yaroshevich, Z. D. Kvon, O. A. Tkachenko, E. E. Rodyakina, A. V. Latyshev, “Low-frequency microwave response of a quantum point contact”, JETP Letters, 114:2 (2021), 110–115   |
1
|
| 2. |
В. А. Ткаченко, З. Д. Квон, О. А. Ткаченко, А. С. Ярошевич, Е. Е. Родякина, Д. Г. Бакшеев, А. В. Латышев, “Фотонно-стимулированный транспорт в квантовом точечном контакте (Миниобзор)”, Письма в ЖЭТФ, 113:5 (2021), 328–340  ; V. A. Tkachenko, Z. D. Kvon, O. A. Tkachenko, A. S. Yaroshevich, E. E. Rodyakina, D. G. Baksheev, A. V. Latyshev, “Photon-stimulated transport in a quantum point contact (brief review)”, JETP Letters, 113:5 (2021), 331–344 |
5
|
|
2019 |
| 3. |
А. А. Быков, И. С. Стрыгин, А. В. Горан, Д. В. Номоконов, И. В. Марчишин, А. К. Бакаров, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев, “Модуляция магнето-межподзонных осцилляций в одномерной латеральной сверхрешетке”, Письма в ЖЭТФ, 110:5 (2019), 337–342 ; A. A. Bykov, I. S. Strygin, A. V. Goran, D. V. Nomokonov, I. V. Marchishin, A. K. Bakarov, E. E. Rodyakina, A. V. Latyshev, “Modulation of magneto-intersubband oscillations in a one-dimensional lateral superlattice”, JETP Letters, 110:5 (2019), 354–358 |
4
|
| 4. |
С. В. Ситников, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев, “Влияние электромиграции на зарождение вакансионных островков на поверхности Si(100) при сублимации”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 805–809 ; S. V. Sitnikov, E. E. Rodyakina, A. V. Latyshev, “Electromigration effect on vacancy islands nucleation on Si(100) surface during sublimation”, Semiconductors, 53:6 (2019), 795–799 |
| 5. |
А. С. Петров, С. В. Ситников, С. С. Косолобов, А. В. Латышев, “Эволюция микролунок на широких террасах поверхности Si(111) в процессе высокотемпературного отжига”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 456–461 ; A. S. Petrov, S. V. Sitnikov, S. S. Kosolobov, A. V. Latyshev, “Micro-pits evolution on large terraces of Si(111) surface during high-temperature annealing”, Semiconductors, 53:4 (2019), 434–438 |
4
|
|
2018 |
| 6. |
К. Н. Астанкова, А. С. Кожухов, И. А. Азаров, Е. Б. Горохов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе”, Физика твердого тела, 60:4 (2018), 696–700 ; K. N. Astankova, A. S. Kozhukhov, I. A. Azarov, E. B. Gorokhov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, “Local anodic oxidation of thin GeO films and formation of nanostructures based on them”, Phys. Solid State, 60:4 (2018), 700–704 |
2
|
| 7. |
E. B. Gorokhov, K. N. Astankova, I. A. Azarov, V. A. Volodin, A. V. Latyshev, “New method of porous Ge layer fabrication: structure and optical properties”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 517 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 628–631 |
2
|
| 8. |
D. M. Kazantsev, I. O. Akhundov, V. L. Alperovich, N. L. Shwartz, A. S. Kozhukhov, A. V. Latyshev, “Thermal smoothing and roughening of GaAs surfaces: experiment and Monte Carlo simulation”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 514 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 618–621 |
6
|
|
2017 |
| 9. |
А. В. Гайслер, И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Квантовые точки AlInAs”, Письма в ЖЭТФ, 105:2 (2017), 93–99 ; A. V. Gaisler, I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, A. S. Kozhukhov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “AlInAs quantum dots”, JETP Letters, 105:2 (2017), 103–109 |
4
|
| 10. |
А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Обратимая электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 443–445 ; A. S. Kozhukhov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, “Reversible electrochemical modification of the surface of a semiconductor by an atomic-force microscope probe”, Semiconductors, 51:4 (2017), 420–422 |
2
|
| 11. |
С. В. Ситников, С. С. Косолобов, А. В. Латышев, “Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 212–215 ; S. V. Sitnikov, S. S. Kosolobov, A. V. Latyshev, “Nucleation of two-dimensional islands on Si (111) during high-temperature epitaxial growth”, Semiconductors, 51:2 (2017), 203–206 |
3
|
|
2016 |
| 12. |
А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Индиевые нанопроволоки на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 918–920 ; A. S. Kozhukhov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, “Indium nanowires at the silicon surface”, Semiconductors, 50:7 (2016), 901–903 |
| 13. |
С. В. Ситников, А. В. Латышев, С. С. Косолобов, “Атомные ступени на ультраплоской поверхности Si(111) при сублимации”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 607–611 ; S. V. Sitnikov, A. V. Latyshev, S. S. Kosolobov, “Atomic steps on an ultraflat Si(111) surface upon sublimation”, Semiconductors, 50:5 (2016), 596–600 |
1
|
|
2013 |
| 14. |
З. Д. Квон, Г. М. Гусев, А. Д. Левин, Д. А. Козлов, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев, “Микроволновый отклик баллистической квантовой точки”, Письма в ЖЭТФ, 98:11 (2013), 806–810 ; Z. D. Kvon, G. M. Gusev, A. D. Levin, D. A. Kozlov, E. E. Podyakina, A. V. Latyshev, “Microwave response of a ballistic quantum dot”, JETP Letters, 98:11 (2013), 713–716 |
5
|
| 15. |
А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, В. А. Гайслер, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 97:5 (2013), 313–318 ; A. V. Gaisler, A. S. Yaroshevich, I. A. Derebezov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, D. V. Shcheglov, V. A. Gaisler, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “Fine structure of the exciton states in InAs quantum dots”, JETP Letters, 97:5 (2013), 274–278 |
10
|
|
2012 |
| 16. |
В. А. Володин, А. С. Кожухов, А. В. Латышев, Д. В. Щеглов, “Свертка ветвей акустических фононов в направлении, перпендикулярном нанофасеткам, в сверхрешетках GaAs/AlAs (311)А”, Письма в ЖЭТФ, 95:2 (2012), 76–79 ; V. A. Volodin, A. S. Kozhukhov, A. V. Latyshev, D. V. Shcheglov, “Folding of acoustic-phonon modes in GaAs/AlAs (311)A superlattices in the direction perpendicular to nanofacets”, JETP Letters, 95:2 (2012), 70–73 |
4
|
| 17. |
А. С. Федоров, А. А. Кузубов, Т. А. Кожевникова, Н. С. Елисеева, Н. Г. Галкин, С. Г. Овчинников, А. А. Саранин, А. В. Латышев, “Особенности структуры и свойств нанопленок
$\beta$-FeSi$_2$ и интерфейса
$\beta$-FeSi$_2$/Si”, Письма в ЖЭТФ, 95:1 (2012), 23–28 ; A. S. Fedorov, A. A. Kuzubov, T. A. Kozhevnikova, N. S. Elyseeva, N. G. Galkin, S. G. Ovchinnikov, A. A. Saranin, A. V. Latyshev, “Features of the structure and properties of $\beta$-FeSi$_2$ nanofilms and a $\beta$-FeSi$_2$/Si interface”, JETP Letters, 95:1 (2012), 20–24 |
3
|
|
2011 |
| 18. |
А. А. Шкляев, К. Н. Романюк, А. В. Латышев, А. В. Аржанников, “Влияние дислокаций на форму островков при росте кремния на
оксидированной поверхности Si(111)”, Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011), 477–480 ; A. A. Shklyaev, K. N. Romanyuk, A. V. Latyshev, A. V. Arzhannikov, “Effect of dislocations on the shape of islands during silicon growth on the oxidized Si(111) surface”, JETP Letters, 94:6 (2011), 442–445 |
6
|
| 19. |
И. В. Сабинина, А. К. Гутаковский, Ю. Г. Сидоров, А. В. Латышев, “Самопроизвольная модуляция состава при
молекулярно-лучевой эпитаксии Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te(301)”, Письма в ЖЭТФ, 94:4 (2011), 348–352 ; I. V. Sabinina, A. K. Gutakovskii, Yu. G. Sidorov, A. V. Latyshev, “Spontaneous composition modulation during Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te(301) molecular beam epitaxy”, JETP Letters, 94:4 (2011), 324–328 |
5
|
| 20. |
Е. Е. Родякина, С. С. Косолобов, А. В. Латышев, “Дрейф адатомов на поверхности кремния (111) в условиях электромиграции”, Письма в ЖЭТФ, 94:2 (2011), 151–156 ; E. E. Podyakina, S. S. Kosolobov, A. V. Latyshev, “Drift of adatoms on the (111) silicon surface under electromigration conditions”, JETP Letters, 94:2 (2011), 147–151 |
11
|
| 21. |
К. Н. Романюк, А. А. Шкляев, Б. З. Ольшанецкий, А. В. Латышев, “Формирование кластеров Ge на поверхности Si(111)–Bi–$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$”, Письма в ЖЭТФ, 93:11 (2011), 740–745 ; K. N. Romanyuk, A. A. Shklyaev, B. Z. Olshanetsky, A. V. Latyshev, “Formation of Ge clusters at a Si(111)-Bi-$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$ surface”, JETP Letters, 93:11 (2011), 661–666 |
3
|
| 22. |
V. A. Volodin, A. S. Kacko, A. G. Cherkov, A. V. Latyshev, J. Koch, B. N. Chichkov, “Femtosecond pulse crystallization of thin amorphous hydrogenated films on glass substrates using near ultraviolet laser radiation”, Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011), 665–668 ; JETP Letters, 93:10 (2011), 603–606 |
12
|
|
2010 |
| 23. |
Д. А. Козлов, З. Д. Квон, А. Е. Плотников, А. В. Латышев, “Двумерный электронный газ в решетке антиточек с периодом 80 нм”, Письма в ЖЭТФ, 91:3 (2010), 145–149 ; D. A. Kozlov, Z. D. Kvon, A. E. Plotnikov, A. V. Latyshev, “Two-dimensional electron gas in a lattice of antidots with a period of 80 nm”, JETP Letters, 91:3 (2010), 134–138 |
2
|
|
2007 |
| 24. |
Д. А. Козлов, З. Д. Квон, А. Е. Плотников, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Кондактанс коротких квантовых проволок с резкими границами”, Письма в ЖЭТФ, 86:10 (2007), 752–756 ; D. A. Kozlov, Z. D. Kvon, A. E. Plotnikov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, “Conductance of short quantum wires with sharp boundaries”, JETP Letters, 86:10 (2007), 662–665 |
3
|
|
2006 |
| 25. |
З. Д. Квон, Е. А. Галактионов, В. А. Сабликов, А. К. Савченко, Д. А. Щеглов, А. В. Латышев, “Новый режим резонансов обратного рассеяния в квантовом интерферометре малых размеров”, Письма в ЖЭТФ, 83:10 (2006), 530–533 ; Z. D. Kvon, E. A. Galaktionov, V. A. Sablikov, A. K. Savchenko, D. A. Shcheglov, A. V. Latyshev, “New resonant backscattering mode in a small-size quantum interferometer”, JETP Letters, 83:10 (2006), 458–461 |
5
|
|
2005 |
| 26. |
И. В. Сабинина, А. К. Гутаковский, Ю. Г. Сидоров, М. В. Якушев, В. С. Варавин, А. В. Латышев, “Наблюдение антифазных доменов в пленках $\mathrm{Cd}_x\mathrm{Hg}_{1-x}\mathrm{Te}$ на кремнии методом фазового контраста в атомно-силовой микроскопии”, Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005), 326–330 ; I. V. Sabinina, A. K. Gutakovskii, Yu. G. Sidorov, M. V. Yakushev, V. S. Varavin, A. V. Latyshev, “Observation of antiphase domains in Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1−x</sub>Te films on silicon by the phase contrast method in atomic force microscopy”, JETP Letters, 82:5 (2005), 292–296 |
4
|
| 27. |
Е. Б. Ольшанецкий, З. Д. Квон, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. И. Торопов, Ж. К. Портал, “Температурная зависимость осцилляций Ааронова–Бома в малых квазибаллистических интерферометрах”, Письма в ЖЭТФ, 81:12 (2005), 762–765 ; E. B. Olshanetskii, Z. D. Kvon, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. I. Toropov, J. C. Portal, “Temperature dependence of Aharonov-Bohm oscillations in small quasi-ballistic interferometers”, JETP Letters, 81:12 (2005), 625–628 |
10
|
| 28. |
С. С. Косолобов, С. А. Цонг, Л. И. Федина, А. К. Гутаковский, А. В. Латышев, “Нестабильность распределения атомных ступеней на Si(111) при субмонослойной адсорбции золота при высоких температурах”, Письма в ЖЭТФ, 81:3 (2005), 149–153 ; S. S. Kosolobov, S. A. Song, L. I. Fedina, A. K. Gutakovskii, A. V. Latyshev, “Instability of the distribution of atomic steps on Si(111) upon submonolayer gold adsorption at high temperatures”, JETP Letters, 81:3 (2005), 117–121 |
9
|
|
2004 |
| 29. |
В. А. Ткаченко, З. Д. Квон, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. И. Торопов, О. А. Ткаченко, Д. Г. Бакшеев, А. Л. Асеев, “Амплитуда осцилляций Ааронова–Бома в малых баллистических интерферометрах”, Письма в ЖЭТФ, 79:3 (2004), 168–172 ; V. A. Tkachenko, Z. D. Kvon, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. I. Toropov, O. A. Tkachenko, D. G. Baksheev, A. L. Aseev, “Aharonov–Bohm oscillation amplitude in small ballistic interferometers”, JETP Letters, 79:3 (2004), 136–140 |
20
|
|
2003 |
| 30. |
А. К. Бакаров, А. А. Быков, Н. Д. Аксенова, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. И. Торопов, “Соизмеримые осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовых ямах с корругированными гетерограницами”, Письма в ЖЭТФ, 77:12 (2003), 794–797 ; A. K. Bakarov, A. A. Bykov, N. D. Aksenova, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. I. Toropov, “Commensurate oscillations of the magnetoresistance of a two-dimensional electron gas in GaAs quantum wells with corrugated heteroboundaries”, JETP Letters, 77:12 (2003), 662–665 |
6
|
|
2001 |
| 31. |
А. А. Быков, А. К. Бакаров, А. В. Горан, А. В. Латышев, А. И. Торопов, “Анизотропия магнетотранспорта и самоорганизация корругированных гетерограниц в селективно легированных структурах на (100) GaAs подложках”, Письма в ЖЭТФ, 74:3 (2001), 182–185 ; A. A. Bykov, A. K. Bakarov, A. V. Goran, A. V. Latyshev, A. I. Toropov, “Anisotropy of magnetic transport and self-organization of corrugated heterointerfaces in selectively doped structures on GaAs(100) substrates”, JETP Letters, 74:3 (2001), 164–167 |
6
|
|
1998 |
| 32. |
А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Моноатомные ступени на поверхности кремния”, УФН, 168:10 (1998), 1117–1127 ; A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “Monatomic steps on silicon surfaces”, Phys. Usp., 41:10 (1998), 1015–1023 |
21
|
|
1988 |
| 33. |
А. В. Латышев, А. Л. Асеев, А. Б. Красильников, А. В. Ржанов, С. И. Стенин, “Поведение моноатомных ступеней на поверхности кремния $(111)$ при сублимации в условиях нагрева электрическим током”, Докл. АН СССР, 300:1 (1988), 84–88 |
|
|
|
2023 |
| 34. |
С. Н. Багаев, С. В. Гарнов, С. М. Деев, М. В. Ковальчук, Н. Н. Колачевский, В. И. Конов, Г. Я. Красников, А. В. Латышев, В. Я. Панченко, В. О. Попов, В. Ю. Хомич, А. М. Шалагин, “Юрий Николаевич Кульчин (к 70-летию со дня рождения)”, УФН, 193:3 (2023), 341–342 ; S. N. Bagaev, S. V. Garnov, S. M. Deev, M. V. Kovalchuk, N. N. Kolachevsky, V. I. Konov, G. Ya. Krasnikov, A. V. Latyshev, V. Ya. Panchenko, V. O. Popov, V. Yu. Khomich, A.M. Shalagin, “Yurii Nikolaevich Kul'chin (on his 70th birthday)”, Phys. Usp., 66:3 (2023), 320–321 |
|
2021 |
| 35. |
Ю. Ю. Балега, Г. А. Жеребцов, Ю. Н. Кульчин, В. В. Кведер, А. В. Латышев, А. Г. Литвак, В. А. Матвеев, Г. А. Месяц, Р. И. Нигматулин, Н. А. Ратахин, А. М. Сергеев, А. М. Шалагин, “Сергей Николаевич Багаев (к 80-летию со дня рождения)”, УФН, 191:10 (2021), 1123–1124 ; Yu. Yu. Balega, G. A. Zherebtsov, Yu. N. Kul'chin, V. V. Kveder, A. V. Latyshev, A. G. Litvak, V. A. Matveev, G. A. Mesyats, R. I. Nigmatulin, N. A. Ratakhin, A. M. Sergeev, A.M. Shalagin, “Sergei Nikolaevich Bagayev (on his 80th birthday)”, Phys. Usp., 64:10 (2021), 1063–1064 |
| 36. |
А. Л. Асеев, А. С. Бугаев, Е. П. Велихов, Ю. В. Гуляев, Г. Я. Красников, А. В. Латышев, В. Я. Панченко, О. В. Руденко, А. Н. Сауров, А. С. Сигов, Ю. А. Чаплыгин, В. А. Черепенин, “Памяти Владислава Ивановича Пустовойта”, УФН, 191:8 (2021), 899–900 ; A. L. Aseev, A. S. Bugaev, E. P. Velikhov, Yu. V. Gulyaev, G. Ya. Krasnikov, A. V. Latyshev, V. Ya. Panchenko, O. V. Rudenko, A. N. Saurov, A. S. Sigov, Yu. A. Chaplygin, V. A. Cherepenin, “In memory of Vladislav Ivanovich Pustovoit”, Phys. Usp., 64:8 (2021), 852–853 |
|
2018 |
| 37. |
В. И. Гавриленко, С. В. Гапонов, Г. Г. Денисов, А. В. Латышев, А. Г. Литвак, Е. А. Мареев, Н. Н. Салащенко, А. М. Сергеев, Р. А. Сурис, О. В. Руденко, Е. А. Хазанов, Н. И. Чхало, “Захарий Фишелевич Красильник (к 70-летию со дня рождения)”, УФН, 188:1 (2018), 119–120 ; V. I. Gavrilenko, S. V. Gaponov, G. G. Denisov, A. V. Latyshev, A. G. Litvak, E. A. Mareev, N. N. Salashchenko, A. M. Sergeev, R. A. Suris, O. V. Rudenko, E. A. Khazanov, N. I. Chkhalo, “Zakharii Fishelevich Krasilnik (on his 70th birthday)”, Phys. Usp., 61:1 (2018), 111–112 |
|
2006 |
| 38. |
З. Д. Квон, Е. А. Галактионов, В. А. Сабликов, А. К. Савченко, Д. А. Щеглов, А. В. Латышев, “Поправка”, Письма в ЖЭТФ, 83:12 (2006), 692 ; Z. D. Kvon, E. A. Galaktionov, V. A. Sablikov, A. K. Savchenko, D. A. Shcheglov, A. V. Latyshev, “Errata”, JETP Letters, 83:12 (2006), 594 |
1
|
|
Обратная связь: