Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 4, страницы 443–445
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44333.8089 (Mi phts6175) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Обратимая электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа

А. С. Кожуховab, Д. В. Щегловa, А. В. Латышевa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (766 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44333.8089
Аннотация: Предложена и обоснована методика обратимого изменения свойств поверхности зондом атомно-силового микроскопа, когда при локальном изменении поверхностного потенциала образца под зондом атомно-силового микроскопа не происходит заметных механических или топографических изменений. На основе предложенной методики установлена возможность контролируемого относительного изменения омического сопротивления канала в мосте Холла в пределах 20–25%.
Поступила в редакцию: 27.10.2015
Принята в печать: 26.09.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 4, Pages 420–422
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617040091
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Обратимая электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 443–445; Semiconductors, 51:4 (2017), 420–422
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KozShcLat17}
\by А.~С.~Кожухов, Д.~В.~Щеглов, А.~В.~Латышев
\paper Обратимая электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 443--445
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6175}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44333.8089}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404882}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 420--422
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617040091}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6175
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i4/p443
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024