|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 94, выпуск 6, страницы 477–480
(Mi jetpl2028)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Влияние дислокаций на форму островков при росте кремния на
оксидированной поверхности Si(111)
А. А. Шкляевab, К. Н. Романюкab, А. В. Латышевab, А. В. Аржанниковc a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Методом сканирующей туннельной микроскопии исследован процесс формирования дислокационных и бездислокационных островков кремния при росте в отсутствие механических напряжений. Округлая форма островков, полученных при температурах роста $400$–$500$ $^\circ$С на оксидированной поверхности Si(111), ассоциируется с наличием в них дислокаций. Перенос атомов с оксидированной поверхности в островки происходит благодаря барьеру потенциальной энергии на границе SiO$_2$/Si. В форме островков, выращенных при $500$–$550$ $^\circ$С, преобладают грани $\{111\}$ и $\{311\}$. Их появление свидетельствует о лимитировании роста стадией зарождения нового атомного слоя и об отсутствии в островках прорастающих дислокаций.
Поступила в редакцию: 28.07.2011
Образец цитирования:
А. А. Шкляев, К. Н. Романюк, А. В. Латышев, А. В. Аржанников, “Влияние дислокаций на форму островков при росте кремния на
оксидированной поверхности Si(111)”, Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011), 477–480; JETP Letters, 94:6 (2011), 442–445
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2028 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v94/i6/p477
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 277 | PDF полного текста: | 69 | Список литературы: | 30 |
|