Влияние дислокаций на форму островков при росте кремния на оксидированной поверхности Si(111)

Методом сканирующей туннельной микроскопии исследован процесс формирования дислокационных и бездислокационных островков кремния при росте в отсутствие механических напряжений. Округлая форма островков, полученных при температурах роста $400$–$500$ $^\circ$С на оксидированной поверхности Si(111), ассоциируется с наличием в них дислокаций. Перенос атомов с оксидированной поверхности в островки происходит благодаря барьеру потенциальной энергии на границе SiO$_2$/Si. В форме островков, выращенных при $500$–$550$ $^\circ$С, преобладают грани $\{111\}$ и $\{311\}$. Их появление свидетельствует о лимитировании роста стадией зарождения нового атомного слоя и об отсутствии в островках прорастающих дислокаций.