Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 5, страница 514 (Mi phts5840)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Nanostructure Technology

Thermal smoothing and roughening of GaAs surfaces: experiment and Monte Carlo simulation

D. M. Kazantsevab, I. O. Akhundovab, V. L. Alperovichab, N. L. Shwartzac, A. S. Kozhukhova, A. V. Latyshevab

a Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian of the Russian Academy of Sciences, 630090 Novosibirsk, Russia
b Novosibirsk State University, 630090 Novosibirsk, Russia
c Novosibirsk State Technical University, 630073 Novosibirsk, Russia
PDF полного текста (28 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: GaAs thermal smoothing at temperatures $T\le$ 650$^\circ$C in the conditions close to equilibrium yields surfaces with atomically smooth terraces separated by steps of monatomic height. At higher temperatures surface smoothing is changed to roughening. Possible reasons of surface roughening at elevated temperatures are studied by means of Monte Carlo simulation and compared with the experimental results on GaAs. It is proved that GaAs roughening at elevated temperatures is caused by kinetic instabilities due to deviations from equilibrium towards growth or sublimation. The microscopic mechanisms of kinetic-driven roughening are discussed.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-22-00143
The AFM measurements and Monte-Carlo simulations were supported by RSF (Grant No 14-22-00143)
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 5, Pages 618–621
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618050147
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: D. M. Kazantsev, I. O. Akhundov, V. L. Alperovich, N. L. Shwartz, A. S. Kozhukhov, A. V. Latyshev, “Thermal smoothing and roughening of GaAs surfaces: experiment and Monte Carlo simulation”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 514; Semiconductors, 52:5 (2018), 618–621
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KazAkhAlp18}
\by D.~M.~Kazantsev, I.~O.~Akhundov, V.~L.~Alperovich, N.~L.~Shwartz, A.~S.~Kozhukhov, A.~V.~Latyshev
\paper Thermal smoothing and roughening of GaAs surfaces: experiment and Monte Carlo simulation
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 514
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5840}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740378}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 618--621
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618050147}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5840
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i5/p514
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:70
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024