Атомные ступени на ультраплоской поверхности Si(111) при сублимации

Методом сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии in situ проведены исследования кинетики атомных ступеней на ультраплоской поверхности кремния (111) при температурах 1050–1350$^\circ$C. Впервые экспериментально показано, что скорость смещения атомной ступени при сублимации нелинейным образом зависит от ширины прилегающей к ступени террасы. Установлено, что атомный механизм процессов массопереноса на поверхности кремния при температурах выше 1200$^\circ$C определяется зарождением и диффузией поверхностных вакансий, а не адсорбированных атомов кремния. Проведенные исследования позволили оценить энергию активации процесса растворения вакансии с поверхности в объем кремния, которая составила (4.3 $\pm$ 0.05) эВ.