|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Диэлектрики
Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе
К. Н. Астанковаa, А. С. Кожуховab, И. А. Азаровab, Е. Б. Гороховa, Д. В. Щегловa, А. В. Латышевab a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Представлены результаты исследований процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO с помощью атомно-силового микроскопа. Методом рентгеновского микроанализа установлено, что окисленные участки пленки GeO представляют собой диоксид германия. Исследовано влияние длительности импульсов напряжения, прикладываемого к системе зонд-подложка, и влажности воздуха на высоту оксидных структур. Кинетика процесса локального анодного окисления (ЛАО) GeO в полуконтактном режиме подчиняется модели Кабрера–Мотта для больших времен. Начальная скорость роста окисла $(R_{0})$ значительно увеличивается, а время начала окисления $(t_{0})$ уменьшается при повышении влажности воздуха на 20%, что связано с увеличением концентрации кислородсодержащих ионов на поверхности окисляемой пленки GeO. Показана возможность формирования наноструктур в тонких слоях GeO методом ЛАО.
Поступила в редакцию: 05.06.2017
Образец цитирования:
К. Н. Астанкова, А. С. Кожухов, И. А. Азаров, Е. Б. Горохов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе”, Физика твердого тела, 60:4 (2018), 696–700; Phys. Solid State, 60:4 (2018), 700–704
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9231 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i4/p696
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 56 | PDF полного текста: | 13 |
|