|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Квантовые точки AlInAs
А. В. Гайслерa, И. А. Деребезовa, В. А. Гайслерbca, Д. В. Дмитриевa, А. И. Тороповa, А. С. Кожуховa, Д. В. Щегловa, А. В. Латышевca, А. Л. Асеевa a Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный технический университет, 630092 Новосибирск, Россия
c Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Исследована система квантовых точек на основе твердых растворов Al$_x$In$_{1-x}$As/Al$_y$Ga$_{1-y}$As. Использование широкозонных твердых растворов Al$_x$In$_{1-x}$As в качестве основы квантовых точек позволяет существенно расширить спектральный диапазон излучения в коротковолновую область, включая участок длин волн вблизи 770 нм, представляющий интерес для разработки аэрокосмических систем квантовой криптографии. Методом криогенной микрофотолюминесценции изучены оптические характеристики одиночных Al$_x$In$_{1-x}$As квантовых точек, выращенных по механизму Странского–Крастанова. На участке длин волн вблизи 770 нм исследована тонкая структура экситонных состояний квантовых точек. Показано, что величина расщепления экситонных состояний сравнима с естественной шириной экситонных линий, что представляет большой интерес для разработки излучателей пар запутанных фотонов на основе Al$_x$In$_{1-x}$As квантовых точек.
Поступила в редакцию: 16.11.2016 Исправленный вариант: 05.12.2016
Образец цитирования:
А. В. Гайслер, И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Квантовые точки AlInAs”, Письма в ЖЭТФ, 105:2 (2017), 93–99; JETP Letters, 105:2 (2017), 103–109
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5169 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v105/i2/p93
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 219 | PDF полного текста: | 44 | Список литературы: | 48 | Первая страница: | 16 |
|