Эволюция микролунок на широких террасах поверхности Si(111) в процессе высокотемпературного отжига

Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии проведены исследования трансформации микролунок на широких террасах поверхности Si(111), не содержащей вицинальных атомных ступеней, при термическом отжиге подложки в интервале 1200–1400$^\circ$C. Предложена методика создания микролунок на широких террасах поверхности Si(111) с применением технологии фокусированного ионного пучка (Ga$^{+}$). Обнаружено, что кинетика разрастания микролунки меняется при достижении ею критического радиуса $R_{\operatorname{crit}}$, что обусловлено активацией процесса зарождения двумерных вакансионных островков на дне микролунки. Предложена теоретическая модель, описывающая изменения латеральных размеров микролунки как до, так и после достижения $R_{\operatorname{crit}}$. На основе анализа полученной температурной зависимости частот зарождения двумерных вакансионных островков на дне микролунки определена эффективная энергия зародышеобразования вакансионного островка – 4.1 $\pm$ 0.1 эВ.