Самопроизвольная модуляция состава при молекулярно-лучевой эпитаксии Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te(301)

Обнаружен эффект самопроизвольной модуляции состава твердого раствора в пленках Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CdTe/ZnTe/GaAs(301). Исследование микроморфологии поверхности пленок в атомно-силовом микроскопе и микроструктуры пленок в просвечивающем электронном микроскопе позволило установить, что в процессе эпитаксиального роста при температуре выше оптимальной на поверхности пленок Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te(301) формируется периодическая система ориентированных в направлении [010] макроступеней, разделенных террасами (100). Рост пленки однородного состава оказывается возможным только на фронте макроступеней и невозможным на террасах (100), на которых происходит рост слоистой структуры с модуляцией состава в направлении [100] с периодом в несколько десятков ангстрем. Наблюдающееся явление объясняется пониженной адсорбцией атомов ртути на плоскости (100).