|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Микроволновый отклик баллистической квантовой точки
З. Д. Квонab, Г. М. Гусевc, А. Д. Левинc, Д. А. Козловb, Е. Е. Родякинаb, А. В. Латышевb a Новосибирский государственный университет
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Universidade de São Paulo, Instituto de Física Teórica
Аннотация:
Экспериментально исследован микроволновый отклик
(фотоЭДС и фотокондактанс) латеральной баллистической квантовой
точки, созданной на основе высокоподвижного двумерного
электронного газа в гетеропереходе AlGaAs/GaAs, в диапазоне частот
$110$–$170$ ГГц. Найдено, что асимметрия фотоЭДС по знаку магнитного
поля носит мезоскопический характер в зависимости не только от
магнитного поля, но и от мощности излучения. Это свидетельствует о
нарушении соотношения Онсагера, связанного с эффектами
межэлектронного взаимодействия, в мезоскопическом
фотогальваническом эффекте. Обнаружен сильный рост кондактанса
точки под действием микроволнового излучения, имеющий не
разогревную природу, а также индуцированные этим излучением
магнитоосцилляции.
Поступила в редакцию: 30.10.2013
Образец цитирования:
З. Д. Квон, Г. М. Гусев, А. Д. Левин, Д. А. Козлов, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев, “Микроволновый отклик баллистической квантовой точки”, Письма в ЖЭТФ, 98:11 (2013), 806–810; JETP Letters, 98:11 (2013), 713–716
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3596 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v98/i11/p806
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 218 | PDF полного текста: | 57 | Список литературы: | 64 | Первая страница: | 11 |
|