|
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек
А. В. Гайслерa, А. С. Ярошевичa, И. А. Деребезовa, А. К. Калагинa, А. К. Бакаровa, А. И. Тороповa, Д. В. Щегловab, В. А. Гайслерac, А. В. Латышевab, А. Л. Асеевa a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Новосибирский государственный технический университет
Аннотация:
Методом криогенной микрофотолюминесценции исследована тонкая структура
экситонных состояний InAs квантовых точек, выращенных по механизму
Странского–Крастанова с малым временем прерывания роста. Продемонстрировано монотонное
увеличение расщепления экситонных состояний с увеличением размера квантовых
точек до значений ${\sim}\,10^{2}$ мкэВ. Показано, что в интервале энергий
экситонов $1.3$–$1.4$ эВ величина расщепления экситонных состояний сравнима с
естественной шириной экситонных линий. Это представляет большой интерес для
разработки излучателей пар запутанных фотонов на основе InAs квантовых точек.
Поступила в редакцию: 05.02.2013
Образец цитирования:
А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, В. А. Гайслер, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 97:5 (2013), 313–318; JETP Letters, 97:5 (2013), 274–278
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3370 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v97/i5/p313
|
|