Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 2, страницы 212–215
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44107.8332
(Mi phts6235)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте

С. В. Ситниковa, С. С. Косолобовab, А. В. Латышевac

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия
c Новосибирский государственный университет
Аннотация: Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии при высокотемпературном эпитаксиальном росте проведены исследования процесса зарождения двумерных островоков на ультраплоской поверхности Si(111). В интервале температур 900–1180$^\circ$C экспериментально измерен критический размер $(D_{\operatorname{crit}})$ террасы, при достижении которого в центре зарождается двумерный островок, при различных потоках кремния на поверхность. Обнаружено, что $D_{\operatorname{crit}}^{2}$ степенным образом зависит от частоты зарождения островков с показателем степени $\chi=(0.9\pm0.05)$ во всем измеренном температурном интервале. Установлено, что кинетика зародышеобразования определяется диффузией адсорбированных атомов кремния вплоть до температуры 1180$^\circ$C, а минимальный критический размер зародыша соответствует 12 атомам кремния.
Поступила в редакцию: 19.05.2016
Принята в печать: 31.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 2, Pages 203–206
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261702021X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Ситников, С. С. Косолобов, А. В. Латышев, “Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 212–215; Semiconductors, 51:2 (2017), 203–206
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SitKosLat17}
\by С.~В.~Ситников, С.~С.~Косолобов, А.~В.~Латышев
\paper Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 2
\pages 212--215
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6235}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44107.8332}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29005999}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 2
\pages 203--206
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261702021X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6235
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i2/p212
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024