|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте
С. В. Ситниковa, С. С. Косолобовab, А. В. Латышевac a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия
c Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии при высокотемпературном эпитаксиальном росте проведены исследования процесса зарождения двумерных островоков на ультраплоской поверхности Si(111). В интервале температур 900–1180$^\circ$C экспериментально измерен критический размер $(D_{\operatorname{crit}})$ террасы, при достижении которого в центре зарождается двумерный островок, при различных потоках кремния на поверхность. Обнаружено, что $D_{\operatorname{crit}}^{2}$ степенным образом зависит от частоты зарождения островков с показателем степени $\chi=(0.9\pm0.05)$ во всем измеренном температурном интервале. Установлено, что кинетика зародышеобразования определяется диффузией адсорбированных атомов кремния вплоть до температуры 1180$^\circ$C, а минимальный критический размер зародыша соответствует 12 атомам кремния.
Поступила в редакцию: 19.05.2016 Принята в печать: 31.05.2016
Образец цитирования:
С. В. Ситников, С. С. Косолобов, А. В. Латышев, “Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 212–215; Semiconductors, 51:2 (2017), 203–206
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6235 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i2/p212
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 48 | PDF полного текста: | 15 |
|