|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, Е. А. Емельянов, А. В. Ненашев, М. Ю. Есин, А. В. Васев, М. А. Путято, Д. Б. Богомолов, А. К. Гутаковский, В. В. Преображенский, “Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 139–146   ; D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, E. A. Emelyanov, A. V. Nenashev, M. Yu. Yesin, A. V. Vasev, M. A. Putyato, D. B. Bogomolov, A. K. Gutakovskii, V. V. Preobrazhenskii, “Formation of InAs/GaP heterostructures with quantum wells on silicon substrates by molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 55:2 (2021), 194–201 |
3
|
|
2020 |
| 2. |
М. О. Петрушков, Д. С. Абрамкин, Е. А. Емельянов, М. А. Путято, А. В. Васев, И. Д. Лошкарев, М. Ю. Есин, О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, В. В. Преображенский, “Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1289–1295 ; M. O. Petrushkov, D. S. Abramkin, E. A. Emelyanov, M. A. Putyato, A. V. Vasev, I. D. Loshkarev, M. Yu. Yesin, O. S. Komkov, D. D. Firsov, V. V. Preobrazhenskii, “Effect of the crystallographic orientation of GaSb films on their structural properties during MBE heteroepitaxy on vicinal Si(001) substrates”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1548–1554 |
3
|
| 3. |
В. В. Уточкин, М. А. Фадеев, С. С. Криштопенко, В. В. Румянцев, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, С. В. Морозов, Б. Р. Семягин, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, В. И. Гавриленко, “Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 929–932 ; V. V. Utochkin, M. A. Fadeev, S. S. Krishtopenko, V. V. Rumyantsev, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, S. V. Morozov, B. R. Semyagin, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, V. I. Gavrilenko, “Photoluminescence spectra of InAs/GaInSb/InAs quantum wells in the mid-infrared region”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1119–1122 |
2
|
| 4. |
Д. М. Леган, О. П. Пчеляков, В. В. Преображенский, “Оптимизация толщины слоя In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As в трехкаскадном In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs/In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$P солнечном элементе”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 65–68 ; D. M. Legan, O. P. Pchelyakov, V. V. Preobrazhenskii, “Optimization of the In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As-layer thickness in a triple-junction In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs/In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$P solar cell”, Semiconductors, 54:1 (2020), 108–111 |
2
|
| 5. |
Е. А. Емельянов, А. Г. Настовьяк, М. О. Петрушков, М. Ю. Есин, Т. А. Гаврилова, М. А. Путято, Н. Л. Шварц, В. А. Швец, А. В. Васев, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский, “Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)$B$ и (100)”, Письма в ЖТФ, 46:4 (2020), 11–14 ; E. A. Emelyanov, A. G. Nastovjak, M. O. Petrushkov, M. Yu. Yesin, T. A. Gavrilova, M. A. Putyato, N. L. Shwartz, V. A. Shvets, A. V. Vasev, B. R. Semyagin, V. V. Preobrazhenskii, “A mask based on a Si epitaxial layer for the self-catalytic nanowire growth on GaAs (111)$B$ and GaAs (100) substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 161–164 |
1
|
|
2019 |
| 6. |
М. А. Путято, Н. А. Валишева, М. О. Петрушков, В. В. Преображенский, И. Б. Чистохин, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, А. В. Васев, А. Ф. Скачков, Г. И. Юрко, И. И. Нестеренко, “Легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs”, ЖТФ, 89:7 (2019), 1071–1078 ; M. A. Putyato, N. A. Valisheva, M. O. Petrushkov, V. V. Preobrazhenskii, I. B. Chistokhin, B. R. Semyagin, E. A. Emelyanov, A. V. Vasev, A. F. Skachkov, G. I. Yurko, I. I. Nesterenko, “A lightweight flexible solar cell based on a heteroepitaxial InGaP/GaAs structure”, Tech. Phys., 64:7 (2019), 1010–1016 |
4
|
| 7. |
А. Н. Косарев, В. В. Чалдышев, А. А. Кондиков, Т. А. Вартанян, Н. А. Торопов, И. А. Гладских, П. В. Гладских, И. Акимов, M. Bayer, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, “Эпитаксиальные квантовые точки InGaAs в матрице Al$_{0.29}$Ga$_{0.71}$As: интенсивность и кинетика люминесценции в ближнем поле серебряных наночастиц”, Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019), 573–577 ; A. N. Kosarev, V. V. Chaldyshev, A. A. Kondikov, T. A. Vartanyan, N. A. Toropov, I. A. Gladskikh, P. V. Gladskikh, I. Akimov, M. Bayer, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, “Epitaxial InGaAs quantum dots in Al$_{0.29}$Ga$_{0.71}$ As matrix: intensity and kinetics of luminescence in the near field of silver nanoparticles”, Optics and Spectroscopy, 126:5 (2019), 492–496 |
5
|
| 8. |
Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1167–1171 ; D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “GaAs/GaP quantum-well heterostructures grown on Si substrates”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1143–1147 |
7
|
| 9. |
Е. А. Емельянов, А. В. Васев, Б. Р. Семягин, М. Ю. Есин, И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, М. А. Путято, М. О. Петрушков, В. В. Преображенский, “Рост твердых растворов InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 512–519 ; E. A. Emelyanov, A. V. Vasev, B. R. Semyagin, M. Yu. Yesin, I. D. Loshkarev, A. P. Vasilenko, M. A. Putyato, M. O. Petrushkov, V. V. Preobrazhenskii, “The growth of InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ solid solutions on miscuted GaAs(001) substrates by molecular-beam epitaxy method”, Semiconductors, 53:4 (2019), 503–510 |
2
|
|
2018 |
| 10. |
В. И. Ушанов, В. В. Чалдышев, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, “Диффузионное размытие квантовых ям GaAs, выращенных при низкой температуре”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1597–1600 ; V. I. Ushanov, V. V. Chaldyshev, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, “Diffusion blurring of GaAs quantum wells grown at low temperature”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1704–1707 |
2
|
| 11. |
A. V. Vasev, M. A. Putyato, V. V. Preobrazhenskii, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, “Kinetics of structural changes on GaSb(001) singular and vicinal surfaces during the UHV annealing”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 525 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 664–666 |
2
|
| 12. |
V. I. Ushanov, V. V. Chaldyshev, V. V. Preobrazhenskiy, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, “Resonant optical reflection from AsSb–AlGaAs metamaterials and structures”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 471 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 468–472 |
| 13. |
М. О. Петрушков, М. А. Путято, И. Б. Чистохин, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, М. Ю. Есин, Т. А. Гаврилова, А. В. Васев, В. В. Преображенский, “Метод диффузии цинка в InP через узкий зазор с использованием планарного источника на основе Zn$_{3}$P$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 44:14 (2018), 19–25 ; M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, I. B. Chistokhin, B. R. Semyagin, E. A. Emelyanov, M. Yu. Yesin, T. A. Gavrilova, A. V. Vasev, V. V. Preobrazhenskii, “Zinc diffusion into InP via a narrow gap from a planar Zn$_{3}$P$_{2}$-based source”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 612–614 |
2
|
|
2017 |
| 14. |
С. Руффенах, С. С. Криштопенко, Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, М. Марцинкевич, К. Консежо, М. Потемски, Б. Пио, М. Орлита, Б. Р. Семягин, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, В. Кнап, Ф. Гонзалез-Посада, Г. Буасье, Э. Турнье, Ф. Тепп, В. И. Гавриленко, “Магнитопоглощение дираковских фермионов в бесщелевых “трехслойных” квантовых ямах InAs/GaSb/InAs”, Письма в ЖЭТФ, 106:11 (2017), 696–701 ; S. Ruffenach, S. S. Krishtopenko, L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, M. Marcinkiewicz, C. Consejo, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, B. R. Semyagin, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, W. Knap, F. Gonzalez-Posada, G. Boissier, E. Tournié, F. Teppe, V. I. Gavrilenko, “Magnetoabsorption of Dirac fermions in InAs/GaSb/InAs “Three-Layer” gapless quantum wells”, JETP Letters, 106:11 (2017), 727–732   |
5
|
| 15. |
A. Kononov, S. V. Egorov, N. Titova, B. R. Semyagin, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, E. V. Deviatov, “Interlayer current near the edge of an $\mathrm{InAs/GaSb}$ double quantum well in proximity with a superconductor”, Письма в ЖЭТФ, 105:8 (2017), 497–498 ; JETP Letters, 105:8 (2017), 508–513 |
| 16. |
С. С. Криштопенко, А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, Л. С. Бовкун, К. Е. Спирин, А. М. Кадыков, M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, Б. Р. Семягин, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, В. И. Гавриленко, “Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 40–44 ; S. S. Krishtopenko, A. V. Ikonnikov, K. V. Marem'yanin, L. S. Bovkun, K. E. Spirin, A. M. Kadykov, M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, B. R. Semyagin, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, V. I. Gavrilenko, “Cyclotron resonance of Dirac fermions in InAs/GaSb/InAs quantum wells”, Semiconductors, 51:1 (2017), 38–42 |
3
|
|
2016 |
| 17. |
A. Kononov, S. V. Egorov, V. A. Kostarev, B. R. Semyagin, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, E. V. Deviatov, “Specular Andreev reflection at the edge of an InAs/GaSb double quantum well with band inversion”, Письма в ЖЭТФ, 104:1 (2016), 24–25 ; JETP Letters, 104:1 (2016), 26–31 |
2
|
| 18. |
В. И. Ушанов, В. В. Чалдышев, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, “Брэгговский резонанс в системе плазмонных нановключений AsSb в AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1620–1624 ; V. I. Ushanov, V. V. Chaldyshev, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, “Bragg resonance in a system of AsSb plasmonic nanoinclusions in AlGaAs”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1595–1599 |
1
|
| 19. |
А. Н. Косарев, В. В. Чалдышев, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, “Влияние слоя GaAs, выращенного при низкой температуре, на фотолюминесценцию квантовых точек InAs”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1519–1526 ; A. N. Kosarev, V. V. Chaldyshev, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, “Effect of a low-temperature-grown GaAs layer on InAs quantum-dot photoluminescence”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1499–1505 |
4
|
|
1988 |
| 20. |
Г. М. Гусев, З. Д. Квон, Д. И. Лубышев, В. П. Мигаль, В. Н. Овсюк, В. В. Преображенский, С. И. Стенин, “Анизотропное отрицательное магнетосопротивление квазидвумерных $\delta$-легированных слоев GaAs”, Физика твердого тела, 30:10 (1988), 3148–3150 |
|
Обратная связь: