|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 11, страницы 1519–1526
(Mi phts6318)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Влияние слоя GaAs, выращенного при низкой температуре, на фотолюминесценцию квантовых точек InAs
А. Н. Косаревab, В. В. Чалдышевab, В. В. Преображенскийc, М. А. Путятоc, Б. Р. Семягинc a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Проводились исследования фотолюминесценции полупроводниковых квантовых точек InAs, поверх которых был выращен слой GaAs в низкотемпературном режиме (LT-GaAs), с использованием различных разделительных слоев или без них. Под разделительными слоями подразумеваются тонкие слои GaAs или AlAs, выращенные при нормальных для молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) температурах. Прямое заращивание привело к исчезновению фотолюминесценции. При использовании тонкого разделительного слоя GaAs фотолюминесценция из квантовых точек InAs частично восстановилась, но ее интенсивность оказалась на 2 порядка меньше, чем в референтном образце, в котором заращивание массива квантовых точек производилось при нормальной температуре. Использование более широкозонного AlAs в качестве материала разделительного слоя привело к усилению фотолюминесценции из квантовых точек InAs, но она все еще была более чем на порядок слабее относительно излучения референтного образца. Построена модель, учитывающая процессы генерации носителей светом, их диффузии и туннелирования из квантовых точек в слой LT-GaAs.
Поступила в редакцию: 27.04.2016 Принята в печать: 10.05.2016
Образец цитирования:
А. Н. Косарев, В. В. Чалдышев, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, “Влияние слоя GaAs, выращенного при низкой температуре, на фотолюминесценцию квантовых точек InAs”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1519–1526; Semiconductors, 50:11 (2016), 1499–1505
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6318 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i11/p1519
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 28 | PDF полного текста: | 11 |
|