Рост твердых растворов InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Исследовано влияние степени отклонения подложки от сингулярной грани на состав и морфологию слоев при молекулярно-лучевой эпитаксии твердых растворов InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ на поверхности GaAs. В качестве подложек использованы пластины GaAs с ориентацией (100), отклоненные в направлении [110] на 0, 1, 2 и 5$^\circ$. Рост гетероструктур выполнен для температур 310 и 380$^\circ$С. Изучено влияние молекулярной формы мышьяка (As$_{2}$ либо As$_{4}$) на состав слоев. Исследования состава и структурных свойств осуществлены методами рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения и атомно-силовой микроскопии. Установлено, что в ряду отклонений 0 $\to$ 5$^\circ$ доля мышьяка $x$ последовательно увеличивается как при использовании потока молекул As$_{2}$, так и As$_{4}$. При использовании потока молекул As$_{2}$ доля $x$ с увеличением степени отклонения возрастает незначительно (в 1.05 раза), а при использовании молекул As$_{4}$ наблюдается ее возрастание в 1.75 раза. Повышение температуры роста приводит к увеличению доли мышьяка в твердом растворе. Морфология поверхности улучшается при увеличении степени отклонения при низкой температуре роста и ухудшается при высокой.