Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Продемонстрирована возможность формирования псевдоморфно-напряженной квантовой ямы, состоящей из четверного твердого раствора In$_{x}$Ga$_{1-x}$As$_{y}$P$_{1-y}$, при осаждении InAs на поверхность GaP/Si эпитаксиального слоя с развитым рельефом поверхности. Проведены исследования квантовой ямы методами просвечивающей электронной микроскопии и спектроскопии стационарной фотолюминесценции. Обнаружено формирование двух различных сегментов квантовой ямы, отличающихся толщиной и составом твердого раствора In$_{x}$Ga$_{1-x}$As$_{y}$P$_{1-y}$, при этом увеличение толщины квантовой ямы сопровождается снижением содержания атомов In и As. Латеральные размеры сегментов квантовой ямы составляют не менее 20 нм. Сегментам квантовой ямы соответствуют две различные полосы низкотемпературной фотолюминесценции. Наблюдаемые явления объяснены в рамках предположения о перестройке поверхности под действием упругих деформаций при гетероэпитаксии InAs на террасированной поверхности GaP.