|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Диффузионное размытие квантовых ям GaAs, выращенных при низкой температуре
В. И. Ушановa, В. В. Чалдышевa, В. В. Преображенскийb, М. А. Путятоb, Б. Р. Семягинb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Методом фотолюминесцентной спектроскопии исследованы процессы диффузионного размытия периодической системы квантовых ям GaAs, разделенных барьерами AlGaAs, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре (200$^\circ$C) и дополнительно легированной изовалентными примесями Sb и P. Отжиг при температуре 750$^\circ$C в течение 30 мин после роста приводил к увеличению энергии пика фотолюминесценции экситонного состояния $e$1–$hh$1 в квантовых ямах вследствие размытия эпитаксиальных интерфейсов GaAs/AlGaAs, вызванных усиленной взаимодиффузией атомов Al–Ga по катионной подрешетке. Для профиля концентрации Al в квантовых ямах, определяемого линейной диффузией, было решено уравнение Шредингера для электронов и дырок. Оказалось, что экспериментально наблюдаемое энергетическое положение пика фотолюминесценции соответствует длине взаимной диффузии Al–Ga 3.4 нм и эффективному коэффициенту диффузии 6.3 $\cdot$ 10$^{-17}$ см$^{2}$/c для температуры 750$^\circ$C. Полученное значение оказалось близким к значению для квантовых ям GaAs, выращенных при низкой температуре без дополнительного легирования примесями Sb и P. Полученные результаты позволяют сделать вывод о незначительном влиянии усиленной взаимодиффузии As–Sb и As–P в анионной подрешетке на процессы взаимодиффузии Al–Ga по катионной подрешетке.
Поступила в редакцию: 31.05.2018 Принята в печать: 06.06.2018
Образец цитирования:
В. И. Ушанов, В. В. Чалдышев, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, “Диффузионное размытие квантовых ям GaAs, выращенных при низкой температуре”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1597–1600; Semiconductors, 52:13 (2018), 1704–1707
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5635 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i13/p1597
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 35 | PDF полного текста: | 7 |
|