Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 929–932
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49834.26 (Mi phts5173) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне

В. В. Уточкинab, М. А. Фадеевa, С. С. Криштопенкоc, В. В. Румянцевab, В. Я. Алешкинab, А. А. Дубиновab, С. В. Морозовab, Б. Р. Семягинd, М. А. Путятоd, Е. А. Емельяновd, В. В. Преображенскийd, В. И. Гавриленкоab

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Laboratoire Charles Coulimb, CNRS & Universite Montpellier, 34095 Montpellier, France
d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (166 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49834.26
Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции волноводных гетероструктур с квантовыми ямами AlSb/InAs/GaInSb/InAs/AlSb, предназначенных для генерации излучения на межзонных переходах в среднем инфракрасном диапазоне. Обнаруженные спектральные линии сопоставляются с расчетами зонной структуры.
Ключевые слова: квантовая яма, InAs/GaInSb, фотолюминесценция, волноводная гетероструктура.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0035-2019-0020
Российский фонд фундаментальных исследований 18-42-520040_поволжье
Работа выполнена в рамках государственного задания Института физики микроструктур РАН (№ 0035-2019-0020) и при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант 18-42-520040_поволжье).
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 9, Pages 1119–1122
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620090304
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Уточкин, М. А. Фадеев, С. С. Криштопенко, В. В. Румянцев, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, С. В. Морозов, Б. Р. Семягин, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, В. И. Гавриленко, “Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 929–932; Semiconductors, 54:9 (2020), 1119–1122
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UtoFadKri20}
\by В.~В.~Уточкин, М.~А.~Фадеев, С.~С.~Криштопенко, В.~В.~Румянцев, В.~Я.~Алешкин, А.~А.~Дубинов, С.~В.~Морозов, Б.~Р.~Семягин, М.~А.~Путято, Е.~А.~Емельянов, В.~В.~Преображенский, В.~И.~Гавриленко
\paper Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 929--932
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5173}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49834.26}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154201}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 1119--1122
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620090304}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5173
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p929
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:59
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025