|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)$B$ и (100)
Е. А. Емельяновa, А. Г. Настовьякa, М. О. Петрушковa, М. Ю. Есинa, Т. А. Гавриловаa, М. А. Путятоa, Н. Л. Шварцab, В. А. Швецac, А. В. Васевa, Б. Р. Семягинa, В. В. Преображенскийa a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет
c Новосибирский государственный университет
Аннотация:
На поверхности подложек GaAs(111)$B$ и GaAs(100) методом самокаталитического роста из молекулярных потоков сформированы нитевидные нанокристаллы (ННК) GaAs. Маска для роста ННК изготавливалась путем окисления эпитаксиального слоя кремния, выращенного на поверхности подложек методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Окисление кремния проводилось в атмосфере очищенного воздуха при нормальных условиях без перемещения структур за пределы объема вакуумной системы установки МЛЭ. Процесс окисления гетероструктуры Si/GaAs исследован с помощью одноволновой и спектральной эллипсометрии, а морфология поверхности окисленного кремния – методами атомно-силовой микроскопии. Образцы с ННК исследованы методом сканирующей электронной микроскопии. Плотность ННК составила порядка 2.6 $\cdot$ 10$^{7}$ и 3 $\cdot$ 10$^{7}$ cm$^{-2}$ для (111)$B$ и (100) соответственно.
Ключевые слова:
молекулярно-лучевая эпитаксия, нитевидные нанокристаллы, эллипсометрия, атомно-силовая микроскопия, сканирующая электронная микроскопия.
Поступила в редакцию: 02.10.2019 Исправленный вариант: 18.10.2019 Принята в печать: 07.11.2019
Образец цитирования:
Е. А. Емельянов, А. Г. Настовьяк, М. О. Петрушков, М. Ю. Есин, Т. А. Гаврилова, М. А. Путято, Н. Л. Шварц, В. А. Швец, А. В. Васев, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский, “Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)$B$ и (100)”, Письма в ЖТФ, 46:4 (2020), 11–14; Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 161–164
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5179 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i4/p11
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 48 | PDF полного текста: | 15 |
|