Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 40–44
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43993.8244 (Mi phts6255) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs

С. С. Криштопенкоab, А. В. Иконниковac, К. В. Маремьянинac, Л. С. Бовкунa, К. Е. Спиринa, А. М. Кадыковab, M. Marcinkiewiczb, S. Ruffenachb, C. Consejob, F. Teppeb, W. Knapb, Б. Р. Семягинd, М. А. Путятоd, Е. А. Емельяновd, В. В. Преображенскийd, В. И. Гавриленкоac

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Laboratoire Charles Coulomb, Universite Montpellier II, Montpellier, France
c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
d Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (353 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43993.8244
Аннотация: Теоретически исследована зонная структура в трехслойных симметричных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs, ограниченных барьерами AlSb. Показано, что в зависимости от соотношения толщин слоев InAs и GaSb в системе может реализовываться нормальная зонная структура, бесщелевое состояние с дираковским конусом в центре зоны Бриллюэна и инвертированная зонная структура (двумерный топологический изолятор). Экспериментальные исследования циклотронного резонанса в образцах с бесщелевым зонным спектром, выполненные при различных значениях концентрации электронов, подтверждают существование безмассовых дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs.
Поступила в редакцию: 22.03.2016
Принята в печать: 28.03.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 1, Pages 38–42
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617010109
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. С. Криштопенко, А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, Л. С. Бовкун, К. Е. Спирин, А. М. Кадыков, M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, Б. Р. Семягин, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, В. И. Гавриленко, “Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 40–44; Semiconductors, 51:1 (2017), 38–42
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KriIkoMar17}
\by С.~С.~Криштопенко, А.~В.~Иконников, К.~В.~Маремьянин, Л.~С.~Бовкун, К.~Е.~Спирин, А.~М.~Кадыков, M.~Marcinkiewicz, S.~Ruffenach, C.~Consejo, F.~Teppe, W.~Knap, Б.~Р.~Семягин, М.~А.~Путято, Е.~А.~Емельянов, В.~В.~Преображенский, В.~И.~Гавриленко
\paper Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 40--44
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6255}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43993.8244}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28969403}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 38--42
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617010109}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6255
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i1/p40
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:34
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024