Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2019, том 89, выпуск 7, страницы 1071–1078
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.07.47802.438-18 (Mi jtf5570) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Твердотельная электроника

Легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs

М. А. Путятоa, Н. А. Валишеваa, М. О. Петрушковa, В. В. Преображенскийa, И. Б. Чистохинa, Б. Р. Семягинa, Е. А. Емельяновa, А. В. Васевa, А. Ф. Скачковb, Г. И. Юркоb, И. И. Нестеренкоb

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Публичное АО "Сатурн", Краснодар, Россия
PDF полного текста (907 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.07.47802.438-18
Аннотация: Обсуждены проблемы создания легких гибких солнечных элементов на основе гетероэпитаксиальных структур соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ с удалением подложки методом растворения. Предложены подходы к их решению. Изготовлен двухкаскадный легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs. Определены массогабаритные характеристики солнечного элемента и проведены его испытания на изгиб. Удельный вес составил 0.51 kg/m$^{2}$, а допустимый радиус изгиба – 36 mm. Измерены вольт-амперные характеристики солнечного элемента для спектра AM0 и AM1.5D при 28.6 и 25$^\circ$C соответственно. В первом случае значение коэффициента полезного действия солнечного элемента составило 23.1, а во втором – 28.3%.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации СП-749.2016.1
Работа проводилась при поддержке СП-749.2016.1.
Поступила в редакцию: 27.12.2018
Исправленный вариант: 27.12.2018
Принята в печать: 07.02.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2019, Volume 64, Issue 7, Pages 1010–1016
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378421907020X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Путято, Н. А. Валишева, М. О. Петрушков, В. В. Преображенский, И. Б. Чистохин, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, А. В. Васев, А. Ф. Скачков, Г. И. Юрко, И. И. Нестеренко, “Легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs”, ЖТФ, 89:7 (2019), 1071–1078; Tech. Phys., 64:7 (2019), 1010–1016
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PutValPet19}
\by М.~А.~Путято, Н.~А.~Валишева, М.~О.~Петрушков, В.~В.~Преображенский, И.~Б.~Чистохин, Б.~Р.~Семягин, Е.~А.~Емельянов, А.~В.~Васев, А.~Ф.~Скачков, Г.~И.~Юрко, И.~И.~Нестеренко
\paper Легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs
\jour ЖТФ
\yr 2019
\vol 89
\issue 7
\pages 1071--1078
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5570}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2019.07.47802.438-18}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41130851}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2019
\vol 64
\issue 7
\pages 1010--1016
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378421907020X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5570
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i7/p1071
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024