Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 14, страницы 19–25
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.14.46340.17146 (Mi pjtf5745) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Метод диффузии цинка в InP через узкий зазор с использованием планарного источника на основе Zn$_{3}$P$_{2}$

М. О. Петрушков, М. А. Путято, И. Б. Чистохин, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, М. Ю. Есин, Т. А. Гаврилова, А. В. Васев, В. В. Преображенский

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (190 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.14.46340.17146
Аннотация: Представлен оригинальный метод диффузии цинка через узкий зазор в InP, позволяющий воспроизводимо формировать $p$–$n$-переходы с заданной глубиной легирования без нарушения морфологии поверхности легируемых слоев. На образцах, легированных этим методом, получены профили распределения носителей заряда в слоях InP. С помощью растровой электронной микроскопии на сколах образцов определена глубина диффузии цинка.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-00023
Работа проводилась при поддержке гранта РНФ № 16-12-00023.
Поступила в редакцию: 08.12.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 7, Pages 612–614
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018070258
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. О. Петрушков, М. А. Путято, И. Б. Чистохин, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, М. Ю. Есин, Т. А. Гаврилова, А. В. Васев, В. В. Преображенский, “Метод диффузии цинка в InP через узкий зазор с использованием планарного источника на основе Zn$_{3}$P$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 44:14 (2018), 19–25; Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 612–614
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PetPutChi18}
\by М.~О.~Петрушков, М.~А.~Путято, И.~Б.~Чистохин, Б.~Р.~Семягин, Е.~А.~Емельянов, М.~Ю.~Есин, Т.~А.~Гаврилова, А.~В.~Васев, В.~В.~Преображенский
\paper Метод диффузии цинка в InP через узкий зазор с использованием планарного источника на основе Zn$_{3}$P$_{2}$
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 14
\pages 19--25
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5745}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.14.46340.17146}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35270669}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 7
\pages 612--614
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018070258}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5745
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i14/p19
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:49
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024