Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием переходных слоев AlSb/As/Si выращены пленки GaSb на вицинальных подложках Si(001), отклоненных на 6$^\circ$ к плоскости (111). Исследовано влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства и характер рельефа поверхности. Обнаружено, что пленки GaSb(00$\bar1$)/Si характеризуются лучшим структурным совершенством, меньшей концентрацией точечных дефектов и более планарным и изотропным рельефом поверхности по сравнению с пленками GaSb(001). Возможной причиной наблюдаемых отличий у пленок GaSb с различной ориентацией является повышенная плотность антифазных доменов в пленках GaSb(001). Морфологические особенности выращенных пленок обусловлены в основном наличием краев террас и в меньшей степени анизотропией встраивания адатомов Ga в края террас.