Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1167–1171
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48118.01 (Mi phts5396) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках

Д. С. Абрамкинab, М. О. Петрушковa, М. А. Путятоa, Б. Р. Семягинa, Е. А. Емельяновa, В. В. Преображенскийa, А. К. Гутаковскийab, Т. С. Шамирзаевabc

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Уральский федеральный университет, Екатеринбург, Россия
PDF полного текста (508 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48118.01
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии получены гибридные GaP/Si-подложки, позволяющие выращивать высокоэффективные светоизлучающие гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами. Несмотря на относительно высокую концентрацию центров безызлучательной рекомбинации в слоях GaP/Si, гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на гибридных GaP/Si подложках, не уступают в эффективности и температурной стабильности люминесценции аналогичным гетероструктурам, выращенным на согласованных GaP-подложках.
Ключевые слова: гибридные подложки, фотолюминесценция, GaP на Si, молекулярно-лучевая эпитаксия, квантовые ямы.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-72-10038
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда, проект № 17-72-10038.
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1143–1147
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1167–1171; Semiconductors, 53:9 (2019), 1143–1147
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AbrPetPut19}
\by Д.~С.~Абрамкин, М.~О.~Петрушков, М.~А.~Путято, Б.~Р.~Семягин, Е.~А.~Емельянов, В.~В.~Преображенский, А.~К.~Гутаковский, Т.~С.~Шамирзаев
\paper Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1167--1171
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5396}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48118.01}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129853}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1143--1147
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090021}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5396
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1167
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024