Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 5, страница 525 (Mi phts5851)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Nanostructure Technology

Kinetics of structural changes on GaSb(001) singular and vicinal surfaces during the UHV annealing

A. V. Vasev, M. A. Putyato, V. V. Preobrazhenskii, A. K. Bakarov, A. I. Toropov

Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, 630090 Novosibirsk, Russia
Аннотация: The dynamics of processes of antimony desorption was investigated on the singular and vicinal GaSb(001) surface by RHEED method. The role of the terraces edges was determined during antimony evaporation in Langmuir desorption mode. It is shown that the structural transition (2 $\times$ 5) $\to$ (1 $\times$ 3) is a complex of two transitions–order $\to$ disorder and disorder $\to$ order. The influence of the degree of surface miscut from the singular face on the dimension of the transition (2 $\times$ 5) $\to$ DO was studied. The activation energies of structural transitions ex(2 $\times$ 5) $\to$ (2 $\times$ 5), (2 $\times$ 5) $\to$ DO and DO $\to$ (1 $\times$ 3) on singular and vicinal faces GaSb(001) were determined.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-00023
This work was supported by Russian Science Foundation, grant No 16-12-00023.
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 5, Pages 664–666
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618050354
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. V. Vasev, M. A. Putyato, V. V. Preobrazhenskii, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, “Kinetics of structural changes on GaSb(001) singular and vicinal surfaces during the UHV annealing”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 525; Semiconductors, 52:5 (2018), 664–666
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VasPutPre18}
\by A.~V.~Vasev, M.~A.~Putyato, V.~V.~Preobrazhenskii, A.~K.~Bakarov, A.~I.~Toropov
\paper Kinetics of structural changes on GaSb(001) singular and vicinal surfaces during the UHV annealing
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 525
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5851}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740389}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 664--666
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618050354}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5851
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i5/p525
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024