Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Тарасов Илья Сергеевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 65
Научных статей: 65

Статистика просмотров:
Эта страница:471
Страницы публикаций:8121
Полные тексты:4079
Списки литературы:448
профессор
доктор физико-математических наук

https://www.mathnet.ru/rus/person47044
Список публикаций на Google Scholar
https://zbmath.org/authors/?q=ai:tarasov.i-s
https://mathscinet.ams.org/mathscinet/MRAuthorID/211056

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2018
1. Я. В. Лубянский, А. Д. Бондарев, И. П. Сошников, Н. А. Берт, В. В. Золотарев, Д. А. Кириленко, К. П. Котляр, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  196–200  mathnet  elib; Ya. V. Lubyanskiy, A. D. Bondarev, I. P. Sotnikov, N. A. Bert, V. V. Zolotarev, D. A. Kirilenko, K. P. Kotlyar, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “Oxygen nitrogen mixture effect on aluminum nitride synthesis by reactive ion plasma deposition”, Semiconductors, 52:2 (2018), 184–188 7
2017
2. Л. А. Кулакова, А. В. Лютецкий, И. С. Тарасов, “Поляризационные эффекты в гетеролазерах In$_{28}$Ga$_{72}$As/GaAs на квантовой яме”, Физика твердого тела, 59:9 (2017),  1684–1690  mathnet  elib; L. A. Kulakova, A. V. Lyutetskiy, I. S. Tarasov, “Polarization effects in quantum-well In$_{28}$Ga$_{72}$As/GaAs heterolasers”, Phys. Solid State, 59:9 (2017), 1706–1712
3. З. Н. Соколова, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  998–1003  mathnet  elib; Z. N. Sokolova, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Increase in the internal optical loss with increasing pump current and the output power of quantum well lasers”, Semiconductors, 51:7 (2017), 959–964 14
4. П. В. Середин, А. С. Леньшин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, И. С. Тарасов, В. В. Шамахов, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  124–132  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, I. S. Tarasov, V. V. Shamakhov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Epitaxial Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg alloys with different conductivity types”, Semiconductors, 51:1 (2017), 122–130
5. А. А. Подоскин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Полностью оптическая ячейка-модулятор на основе AlGaAs/GaAs/InGaAs-гетероструктур на длину волны 905 nm”, Письма в ЖТФ, 43:2 (2017),  31–37  mathnet  elib; A. A. Podoskin, I. S. Shashkin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “All-optical modulator cells based on AlGaAs/GaAs/InGaAs 905-nm laser heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 101–103 3
2016
6. Д. А. Веселов, И. С. Шашкин, Ю. К. Бобрецова, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, В. А. Капитонов, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110–120 K)”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1414–1419  mathnet  elib; D. A. Veselov, I. S. Shashkin, Yu. K. Bobretsova, K. V. Bakhvalov, A. V. Lyutetskiy, V. A. Kapitonov, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, “Study of the pulse characteristics of semiconductor lasers with a broadened waveguide at low temperatures (110–120 K)”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1396–1402 8
7. А. В. Бабичев, A. Bousseksou, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Е. В. Никитина, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, “Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1320–1324  mathnet  elib; A. V. Babichev, A. Bousseksou, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, E. V. Nikitina, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, A. Yu. Egorov, “Room-temperature operation of quantum cascade lasers at a wavelength of 5.8 $\mu$m”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1299–1303 21
8. П. В. Середин, Д. А. Голощапов, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, А. Д. Бондарев, Я. В. Лубянский, И. С. Тарасов, “Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1283–1294  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. A. Goloshchapov, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, A. D. Bondarev, Ya. V. Lubyanskiy, I. S. Tarasov, “Growth features and spectroscopic structure investigations of nanoprofiled AlN films formed on misoriented GaAs substrates”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1261–1272
9. Д. А. Веселов, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, М. Г. Растегаева, С. О. Слипченко, Е. А. Бечвай, В. А. Стрелец, В. В. Шамахов, И. С. Тарасов, “К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1247–1252  mathnet  elib; D. A. Veselov, I. S. Shashkin, K. V. Bakhvalov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, M. G. Rastegaeva, S. O. Slipchenko, E. A. Bechvay, V. A. Strelets, V. V. Shamakhov, I. S. Tarasov, “On the problem of internal optical loss and current leakage in laser heterostructures based on AlGaInAs/InP solid solutions”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1225–1230 8
10. П. В. Середин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  869–876  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, I. S. Tarasov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structural and optical properties of GaAs(100) with a thin surface layer doped with chromium”, Semiconductors, 50:7 (2016), 853–859
11. С. А. Иванов, Н. В. Никоноров, А. И. Игнатьев, В. В. Золотарев, Я. В. Лубянский, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Сужение спектральной полосы излучения мощного лазерного диода объемной брэгговской решеткой на фото-термо-рефрактивном стекле”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  834–838  mathnet  elib; S. A. Ivanov, N. V. Nikonorov, A. I. Ignatiev, V. V. Zolotarev, Ya. V. Lubyanskiy, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “Narrowing of the emission spectra of high-power laser diodes with a volume Bragg grating recorded in photo-thermo-refractive glass”, Semiconductors, 50:6 (2016), 819–823 8
12. З. Н. Соколова, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  679–682  mathnet  elib; Z. N. Sokolova, K. V. Bakhvalov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Dependence of the electron capture velocity on the quantum-well depth in semiconductor lasers”, Semiconductors, 50:5 (2016), 667–670 4
13. З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры”, Квантовая электроника, 46:9 (2016),  777–781  mathnet  elib [Z. N. Sokolova, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Threshold characteristics of a semiconductor quantum-well laser: inclusion of global electroneutrality in the structure”, Quantum Electron., 46:9 (2016), 777–781  isi  scopus] 6
2015
14. В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, Я. В. Лубянский, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов, “Поверхностные интегрированные дифракционные решетки высших порядков для полупроводниковых лазеров”, Квантовая электроника, 45:12 (2015),  1091–1097  mathnet  elib [V. V. Zolotarev, A. Yu. Leshko, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, Ya. V. Lubyanskiy, N. V. Voronkova, I. S. Tarasov, “Integrated high-order surface diffraction gratings for diode lasers”, Quantum Electron., 45:12 (2015), 1091–1097  isi  scopus] 18
15. Д. А. Веселов, К. Р. Аюшева, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, В. В. Васильева, Л. С. Вавилова, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)”, Квантовая электроника, 45:10 (2015),  879–883  mathnet  elib [D. A. Veselov, K. R. Ayusheva, I. S. Shashkin, K. V. Bakhvalov, V. V. Vasil'eva, L. S. Vavilova, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, “Optimisation of cavity parameters for lasers based on AlGaInAsP/InP solid solutions (λ=1470 nm)”, Quantum Electron., 45:10 (2015), 879–883  isi  scopus] 2
16. Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов, “Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 45:7 (2015),  604–606  mathnet  elib [D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, N. V. Voronkova, I. S. Tarasov, “Study of the absorption coefficient in layers of a semiconductor laser heterostructure”, Quantum Electron., 45:7 (2015), 604–606  isi  scopus] 15
17. Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, В. А. Капитонов, И. С. Тарасов, “Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров”, Квантовая электроника, 45:7 (2015),  597–600  mathnet  elib [D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, V. A. Kapitonov, I. S. Tarasov, “Effect of laser cavity parameters on saturation of light – current characteristics of high-power pulsed lasers”, Quantum Electron., 45:7 (2015), 597–600  isi  scopus] 20
2014
18. Д. А. Веселов, В. А. Капитонов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, И. С. Тарасов, “Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (λ = 1.0 – 1.1 мкм) в импульсном режиме генерации”, Квантовая электроника, 44:11 (2014),  993–996  mathnet  elib [D. A. Veselov, V. A. Kapitonov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, I. S. Tarasov, “Saturation of light – current characteristics of high-power lasers (λ = 1.0 – 1.1 mm) in pulsed regime”, Quantum Electron., 44:11 (2014), 993–996  isi  scopus] 40
19. В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, К. В. Бахвалов, Я. В. Лубянский, М. Г. Растегаева, И. С. Тарасов, “Спектральные характеристики многомодовых полупроводниковых лазеров с поверхностной дифракционной решеткой высших порядков”, Квантовая электроника, 44:10 (2014),  907–911  mathnet  elib [V. V. Zolotarev, A. Yu. Leshko, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, K. V. Bakhvalov, Ya. V. Lubyanskiy, M. G. Rastegaeva, I. S. Tarasov, “Spectral characteristics of multimode semiconductor lasers with a high-order surface diffraction grating”, Quantum Electron., 44:10 (2014), 907–911  isi  scopus] 7
20. З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Расчет мощностных характеристик полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами при одновременном учете электронов и дырок”, Квантовая электроника, 44:9 (2014),  801–805  mathnet  elib [Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Calculation of output characteristics of semiconductor quantum-well lasers with account for both electrons and holes”, Quantum Electron., 44:9 (2014), 801–805  isi  scopus] 3
2013
21. З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Пороговые характеристики полупроводниковых лазеров при нарушении электронейтральности в квантовых ямах”, Квантовая электроника, 43:5 (2013),  428–432  mathnet  elib [Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Threshold characteristics of semiconductor lasers under conditions of violation of electroneutrality in quantum wells”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 428–432  isi  scopus] 2
2010
22. И. С. Тарасов, “Мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур раздельного ограничения”, Квантовая электроника, 40:8 (2010),  661–681  mathnet  elib [I. S. Tarasov, “High-power semiconductor separate-confinement double heterostructure lasers”, Quantum Electron., 40:8 (2010), 661–681  isi  scopus] 38
2003
23. Л. А. Кулакова, И. С. Тарасов, “Перестройка частоты генерации гетеролазера под влиянием ультразвуковых волн”, Письма в ЖЭТФ, 78:2 (2003),  77–81  mathnet; L. A. Kulakova, I. S. Tarasov, “Heterolaser frequency tuning under the action of ultrasonic waves”, JETP Letters, 78:2 (2003), 67–71  scopus 17
1992
24. Е. И. Андреева, А. С. Щербаков, И. Э. Беришев, Ю. В. Ильин, И. С. Тарасов, “Полупроводниковый источник пикосекундных импульсов на длине волны 1.55 мкм”, Письма в ЖТФ, 18:24 (1992),  23–27  mathnet  isi
1991
25. Д. З. Гарбузов, И. Э. Беришев, Ю. В. Ильин, Н. Д. Ильинская, А. В. Овчинников, Н. А. Пихтин, Н. Л. Рассудов, И. С. Тарасов, “Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров ($\lambda=1.3$ мкм) с мощностью излучения 160 мВт”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1414–1418  mathnet
26. Д. 3. Гарбузов, А. В. Овчинников, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, В. Б. Халфин, “Экспериментальное и теоретическое исследование особенностей пороговых и мощностных характеристик РО ДГС InGaAsP/InP-лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм)”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  928–933  mathnet
27. Д. З. Гарбузов, И. Э. Беришев, Ю. В. Ильин, Н. Д. Ильинская, Н. А. Пихтин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Зарощенные одномодовые непрерывные InGaAsP/InP лазеры раздельного ограничения (${\lambda=1.3}$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  17–21  mathnet  isi
28. И. А. Князев, А. С. Щербаков, Ю. В. Ильин, Н. Л. Рассудов, И. С. Тарасов, “Источник пикосекундных импульсов на основе полупроводникового лазера с волоконным резонатором”, Письма в ЖТФ, 17:3 (1991),  14–17  mathnet  isi
29. Д. З. Гарбузов, Ю. В. Ильин, Д. А. Кочеров, А. В. Овчинников, А. Ф. Солодков, И. С. Тарасов, Н. В. Шелков, С. Д. Якубович, “Прямая амплитудная модуляция излучения ДГС (InGA)AsP/InP-лазеров (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением”, Квантовая электроника, 18:3 (1991),  281–286  mathnet [D. Z. Garbuzov, Yu. V. Il'in, D. A. Kocherov, A. V. Ovchinnikov, A. F. Solodkov, I. S. Tarasov, N. V. Shelkov, S. D. Yakubovich, “Direct amplitude modulation of the radiation emitted by (InGa)AsP/InP double-heterostructure lasers (λ = 1.3 μm) with separate confinement”, Sov J Quantum Electron, 21:3 (1991), 251–255  isi]
1990
30. И. Э. Беришев, Д. З. Гарбузов, С. Е. Гончаров, Ю. В. Ильин, А. В. Михайлов, А. В. Овчинников, Н. А. Пихтин, Э. У. Рафаилов, И. С. Тарасов, “Оптический модуль на базе квантоворазмерного InGaAsP/InP лазера ваттного диапазона ($\lambda=1.3$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 16:21 (1990),  35–41  mathnet  isi
31. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, Ю. В. Ильин, Т. А. Налет, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Зависимость пороговой плотности тока и дифференциальной квантовой эффективности РО ДГС InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) лазеров от потерь на выход”, Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  50–54  mathnet  isi 1
32. Д. З. Гарбузов, Ю. В. Ильин, А. В. Овчинников, Э. У. Рафаилов, И. С. Тарасов, Н. В. Фомин, “Распределение полей излучения и пространственная когерентность в ДГС-InGaAsP/InP-лазерах (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением”, Квантовая электроника, 17:1 (1990),  14–16  mathnet [D. Z. Garbuzov, Yu. V. Il'in, A. V. Ovchinnikov, È. U. Rafailov, I. S. Tarasov, N. V. Fomin, “Distribution and spatial coherence of radiation fields of InGaAsP/lnP double-heterostructure separate-confinement lasers emitting at λ = 1.3 μm”, Sov J Quantum Electron, 20:1 (1990), 9–11  isi]
1989
33. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, В. Б. Пташник, И. С. Тарасов, Ф. А. Чудновский, “Оптическая реверсивная побитовая запись информации на пленках VO$_{2}$”, ЖТФ, 59:10 (1989),  174–177  mathnet  isi
34. В. Ю. Петрунькин, B. C. Сысуев, А. С. Щербаков, Д. З. Гарбузов, Ю. В. Ильин, И. С. Тарасов, “Формирование высокочастотной последовательности пикосекундных оптических импульсов на длине волны 1.32 мкм”, Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  64–68  mathnet  isi
35. В. Ю. Петрунькин, В. М. Сысуев, А. С. Щербаков, Д. З. Гарбузов, Ю. В. Ильин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Источник пикосекундных импульсов для высокоскоростной солитонной системы передачи информации”, Письма в ЖТФ, 15:9 (1989),  25–29  mathnet  isi
1988
36. М. И. Беловолов, Д. З. Гарбузов, Е. М. Дианов, С. В. Зайцев, А. П. Крюков, И. С. Тарасов, “Бистабильный режим генерации квантоворазмерных InGaAsP/InP-лазеров с внешним дисперсионным резонатором”, Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2128–2132  mathnet  isi
37. М. И. Беловолов, Д. З. Гарбузов, Е. М. Дианов, С. В. Зайцев, А. П. Крюков, И. С. Тарасов, “Токовые перестроечные характеристики InGaAsP/InP-гетеролазеров с внешним дисперсионным резонатором”, Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2116–2120  mathnet  isi
38. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, В. И. Колышкин, Т. А. Налет, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Мезаполосковые InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) квантоворазмерные лазеры раздельного ограничения ($J_{nop}=380\,\text{А/см}^{2}$, $P=0.5$ Вт, $T=18^{\circ}$C)”, Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  241–246  mathnet  isi
39. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, В. И. Колышкин, М. М. Кулагина, И. А. Мокина, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Зарощенные непрерывные InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) лазеры раздельного ограничения ($J=360\,\text{А/см}^{2}$, $P=360$ мВт, $T= 18^{\circ}$С)”, Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  99–104  mathnet  isi
1987
40. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, Н. Д. Ильинская, В. И. Колышкин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, М. К. Трукан, “Исследование срока службы непрерывных мезаполосковых InGaAsP/InP (${\lambda=1.3}$ мкм лазеров раздельного ограничения”, ЖТФ, 57:9 (1987),  1822–1824  mathnet  isi
41. Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Квантово-размерные InGaAsP/InP РО ДГ лазеры с ${\lambda=1.3}$ мкм (${J_{\text{п}}=410\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=23^{\circ}}$С)”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  824–829  mathnet
42. Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, Н. Ю. Давидюк, С. В. Зайцев, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, Н. А. Стругов, И. С. Тарасов, “Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ ($\lambda=1.3$ мкм) лазер раздельного ограничения с мощностью 270 мВт ($T=20^{\circ}$C, $I=900$ мА, внешнее диэлектрическое зеркало)”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  552–557  mathnet  isi
43. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, Н. Д. Ильинская, К. Ю. Кижаев, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, Н. А. Стругов, И. С. Тарасов, “Мощные $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО лазеры для ВОЛС ($\lambda=1,55$ мкм; $T=300$ K; $P=50$ мВт)”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  535–537  mathnet  isi
1986
44. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, А. Б. Комиссаров, М. К. Трукан, “Непрерывные мезаполосковые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазеры с $\lambda=1.3$ мкм. Снижение порогов, повышение мощности”, Письма в ЖТФ, 12:11 (1986),  660–663  mathnet  isi
45. Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, К. Ю. Кижаев, А. Б. Нивин, С. А. Никишин, А. В. Овчинников, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, А. В. Чудинов, “Низкопороговые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ лазеры раздельного ограничения с $\lambda=1.3$ мкм и $\lambda=1.55$ мкм ($I_{\text{пор.}}=600-700\,\text{А/см}^{2}$)”, Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  210–215  mathnet  isi 2
1985
46. А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, Т. В. Декальчук, Н. Д. Ильинская, И. С. Тарасов, А. А. Декальчук, И. А. Мокина, “Мезаполосковые InGaAsP/InP (${\lambda=1.5}$ мкм) лазеры непрерывного действия”, ЖТФ, 55:9 (1985),  1872–1876  mathnet  isi
47. И. С. Тарасов, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, А. В. Овчинников, З. Н. Соколова, А. В. Чудинов, “Особенности температурной зависимости порогов в РО InGaAsP/InP ДГ лазерах (${\lambda=1.3}$ мкм) с тонкой активной областью”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1496–1498  mathnet
48. В. П. Евтихиев, Д. З. Гарбузов, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, В. Б. Халфин, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, “Особенности пороговых характеристик РО InGaAsP/InP ДГ лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм) с супертонкими активными областями”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1420–1423  mathnet
49. Ж. И. Алфров, Д. З. Гарбузов, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Инжекционный непрерывный лазер с мощностью 60 мВт на сонове жидкофазной РО InGaAsP ДГС (${\lambda=1.35}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  456–459  mathnet
50. Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, Н. Ю. Давидюк, Н. Д. Ильинская, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Мощные мезаполосковые РО $In\,Ga\,As/In\,P$ лазеры для ВОЛС ($\lambda= 1.3$ мкм, $T=18^{\circ}$ С, $I =300$ мА, $P=28$ мВт в волокне $\varnothing$ $50$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 11:22 (1985),  1345–1349  mathnet  isi
51. Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, В. П. Евтихиев, А. Б. Нивин, А. Е. Свелокузов, “Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазер с КПД $17\%$ ($\lambda=1.32$ мкм, $T=290$ K)”, Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1157–1162  mathnet  isi
1984
52. И. С. Тарасов, “Об одном обобщении интерполяционного алгебраического многочлена на случай многих переменных”, Изв. вузов. Матем., 1984, № 2,  54–55  mathnet  mathscinet  zmath; I. S. Tarasov, “A generalization of an interpolation algebraic polynomial to the case of several variables”, Soviet Math. (Iz. VUZ), 28:2 (1984), 76–78
53. А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, И. С. Тарасов, “Влияние технологических факторов на люминесцентные характеристики гетеролазеров InGaAsP/InP (${\lambda=1.55}$ мкм)”, ЖТФ, 54:10 (1984),  2047–2050  mathnet  isi
54. А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. В. Евстропов, В. Г. Сидоров, И. С. Тарасов, Л. М. Федоров, “Обратные токи в $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2036–2040  mathnet
55. А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. В. Евстропов, В. Г. Сидоров, И. С. Тарасов, Л. М. Федоров, “Влияние несоответствия параметров решеток на $I{-}V$-характеристики InGaAsP/InP $p{-}n$-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1413–1416  mathnet
56. А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. В. Евстропов, В. Г. Сидоров, И. С. Тарасов, Л. М. Федоров, “Токи туннельного типа в $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1034–1038  mathnet
57. Ж. И. Алфров, К. А. Гацоев, А. Т. Гореленок, Н. Д. Ильинская, И. С. Тарасов, “Низкопороговые мезаполосковые JnGaAsP/JnP лазеры непрерывного действия (${\lambda\simeq 1.3}$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 10:16 (1984),  961–964  mathnet  isi
1983
58. А. Т. Гореленок, В. И. Колышкин, И. С. Тарасов, “Полосковые лазеры на основе ДГС в системе InGaAsP/InP, полученные имплантацией ионов кислорода”, ЖТФ, 53:10 (1983),  1973–1978  mathnet  isi
59. М. Г. Васильев, А. А. Гвоздев, А. Т. Гореленок, Ю. В. Гуляев, В. Ф. Дворянкин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, В. В. Кожин, Е. Т. Неделин, Г. А. Синицина, И. С. Тарасов, А. А. Телегин, А. С. Усиков, В. И. Швейкин, А. А. Шелякин, “Низкопороговые полосковые зарощенные гетеролазеры на основе InGaAsP/InP (${\lambda\simeq1.3}$ мкм), полученные гибридной технологией”, ЖТФ, 53:7 (1983),  1413–1414  mathnet  isi
60. Н. С. Аверкиев, А. Т. Гореленок, И. С. Тарасов, “Особенности поляризации люминесценции и константы деформационного потенциала в InP $n$- и $p$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  997–1002  mathnet
1982
61. Ж. И. Алферов, М. И. Беловолов, А. Н. Гурьянов, А. Т. Гореленок, Е. М. Дианов, А. А. Кузнецов, А. В. Кузнецов, A. М. Прохоров, И. С. Тарасов, “Многоканальная дуплексная волоконно-оптическая линия связи на длине волны 1,3 мкм”, Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1698–1700  mathnet [Zh. I. Alferov, M. I. Belovolov, A. N. Gur'yanov, A. T. Gorelenok, E. M. Dianov, A. A. Kuznetsov, A. V. Kuznetsov, A. M. Prokhorov, I. S. Tarasov, “Multichannel duplex fiber-optic communication line operating at the wavelength of 1.3 μ”, Sov J Quantum Electron, 12:8 (1982), 1088–1090  isi]
1981
62. И. С. Тарасов, “Задача обращения матрицы Вронского”, Изв. вузов. Матем., 1981, № 8,  80–82  mathnet  mathscinet  zmath
1979
63. М. И. Беловолов, А. Т. Гореленок, Е. М. Дианов, А. А. Кузнецов, И. С. Тарасов, “Макет волоконно-оптической линии связи со спектральным уплотнением в области 1,3 мкм”, Квантовая электроника, 6:11 (1979),  2487–2490  mathnet [M. I. Belovolov, A. T. Gorelenok, E. M. Dianov, A. A. Kuznetsov, I. S. Tarasov, “Prototype fiber-optical communication line with spectral multiplexing in the 1.3μ region”, Sov J Quantum Electron, 9:11 (1979), 1473–1475]
1964
64. И. С. Тарасов, “Индуктивная теория некоммутативных определителей”, Изв. вузов. Матем., 1964, № 4,  152–161  mathnet  mathscinet  zmath
1959
65. И. С. Тарасов, “Теория несобственных гиперполос в центроаффинном пространстве”, Изв. вузов. Матем., 1959, № 4,  161–167  mathnet  mathscinet  zmath

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024