Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 834–838 (Mi phts6448)  
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Сужение спектральной полосы излучения мощного лазерного диода объемной брэгговской решеткой на фото-термо-рефрактивном стекле

С. А. Ивановa, Н. В. Никоноровa, А. И. Игнатьевa, В. В. Золотаревb, Я. В. Лубянскийb, Н. А. Пихтинbc, И. С. Тарасовb

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный университет
PDF полного текста (181 kB) Список цитирования (8)
Аннотация: Работа посвящена исследованию спектральных свойств мощного полупроводникового лазера с внешним резонатором, в котором осуществляется селекция продольных мод с помощью голографической объемной брэгговской решетки на фото-термо-рефрактивном стекле. В результате селекции исходный спектр лазерного диода шириной в 6 нм был сужен до 5 $\mathring{\mathrm{A}}$. В полученном спектре разрешился набор собственных мод, соответствующих длине лазерного чипа, количество которых ограничивалось шириной контура спектральной селективности решетки. Было показано, что установка голограммы внутрь резонатора увеличивает ее селектирующую способность в несколько раз. Исследования показали, что данная конструкция внешнего резонатора позволяет плавно перестраивать длину волны генерации лазера в пределах 10 нм.
Поступила в редакцию: 01.12.2015
Принята в печать: 07.12.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 6, Pages 819–823
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616060087
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Иванов, Н. В. Никоноров, А. И. Игнатьев, В. В. Золотарев, Я. В. Лубянский, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Сужение спектральной полосы излучения мощного лазерного диода объемной брэгговской решеткой на фото-термо-рефрактивном стекле”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 834–838; Semiconductors, 50:6 (2016), 819–823
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IvaNikIgn16}
\by С.~А.~Иванов, Н.~В.~Никоноров, А.~И.~Игнатьев, В.~В.~Золотарев, Я.~В.~Лубянский, Н.~А.~Пихтин, И.~С.~Тарасов
\paper Сужение спектральной полосы излучения мощного лазерного диода объемной брэгговской решеткой на фото-термо-рефрактивном стекле
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 834--838
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6448}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368921}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 819--823
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616060087}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6448
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p834
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:49
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024