Расчет мощностных характеристик полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами при одновременном учете электронов и дырок

С использованием усовершенствованной теоретической модели, включающей в себя скоростные уравнения как для электронов, так и для дырок, изучены мощностные характеристики полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами. Выявлены нетривиальные зависимости концентраций электронов и дырок в волноводной области лазера от скоростей захвата обоих типов носителей из волноводной области в квантовую яму. Получены зависимости внутренней дифференциальной квантовой эффективности и выходной оптической мощности лазера от скоростей захвата электронов и дырок. Показано, что увеличение скоростей захвата приводит к подавлению паразитной рекомбинации в волноводной области и, следовательно, к существенному росту квантовой эффективности и выходной мощности.