Мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур раздельного ограничения

Обзор посвящен мощным полупроводниковым лазерам. Дана историческая справка, рассмотрены физические и технологические основы, а также сформулирована концепция мощных полупроводниковых лазеров. Определены фундаментальные и технологические причины, ограничивающие оптическую мощность полупроводникового лазера. Представлены результаты исследований мощных полупроводниковых лазеров в непрерывном и импульсном режимах генерации. Основное внимание уделено рассмотрению результатов экспериментальных исследований одиночных мощных полупроводниковых лазеров. Обзор базируется, в основном, на данных, полученных в лаборатории полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей ФТИ им. А. Ф. Иоффе.