Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1320–1324 (Mi phts6333)  
Эта публикация цитируется в 21 научных статьях (всего в 21 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре

А. В. Бабичевab, A. Bousseksouc, Н. А. Пихтинd, И. С. Тарасовd, Е. В. Никитинаe, А. Н. Софроновf, Д. А. Фирсовf, Л. Е. Воробьевf, И. И. Новиковad, Л. Я. Карачинскийad, А. Ю. Егоровba

a ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Institut d’Electronique Fondamentale, UMR 8622 CNRS, University Paris Saclay, France
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
f Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (314 kB) Список цитирования (21)
Аннотация: В ходе работы продемонстрирована генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм в импульсном режиме при комнатной температуре. Гетероструктура квантово-каскадного лазера на основе гетеропары твердых растворов InGaAs/InAlAs была выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии и включала 60 идентичных каскадов. Плотность порогового тока для полоскового лазера длиной 1.4 мм и шириной 22 мкм составляла $\sim$4.8 кA/см$^{2}$ при температуре 303 K. Максимальная зарегистрированная детектором мощность оптического излучения, выходящего с одного торца ККЛ составляет 88 мВт. Реальная оптическая мощность, выходящая с одного торца ККЛ, не менее чем 150 мВт. В статье обсуждаются полученные результаты и возможные пути оптимизации конструкции созданных квантово-каскадных лазеров.
Поступила в редакцию: 13.04.2016
Принята в печать: 18.04.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 10, Pages 1299–1303
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616100067
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Бабичев, A. Bousseksou, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Е. В. Никитина, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, “Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1320–1324; Semiconductors, 50:10 (2016), 1299–1303
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BabBouPik16}
\by А.~В.~Бабичев, A.~Bousseksou, Н.~А.~Пихтин, И.~С.~Тарасов, Е.~В.~Никитина, А.~Н.~Софронов, Д.~А.~Фирсов, Л.~Е.~Воробьев, И.~И.~Новиков, Л.~Я.~Карачинский, А.~Ю.~Егоров
\paper Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1320--1324
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6333}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369007}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1299--1303
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616100067}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6333
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i10/p1320
    • Эта публикация цитируется в следующих 21 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024