Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 679–682 (Mi phts6472)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах

З. Н. Соколоваa, К. В. Бахваловa, А. В. Лютецкийa, Н. А. Пихтинa, И. С. Тарасовa, Л. В. Асрянb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Virginia Polytechnic Institute and State University Blacksburg, USA
PDF полного текста (258 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены три лазерные структуры с одиночной напряженной квантовой ямой из InGaAs и волноводной областью из GaAs или Al$_{0.1}$Ga$_{0.9}$As. В этих структурах, имеющих различную глубину квантовой ямы, были измерены плотность порогового тока и внутренняя дифференциальная квантовая эффективность. С использованием экспериментальных значений этих величин была вычислена скорость захвата электронов в квантовую яму в каждой из трех структур. Получено, что скорость захвата в глубокие ямы существенно меньше, чем в мелкие.
Поступила в редакцию: 03.11.2015
Принята в печать: 13.11.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 5, Pages 667–670
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616050225
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: З. Н. Соколова, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 679–682; Semiconductors, 50:5 (2016), 667–670
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SokBakLyu16}
\by З.~Н.~Соколова, К.~В.~Бахвалов, А.~В.~Лютецкий, Н.~А.~Пихтин, И.~С.~Тарасов, Л.~В.~Асрян
\paper Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 679--682
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6472}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368894}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 667--670
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616050225}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6472
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i5/p679
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024