Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 998–1003
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44661.8522 (Mi phts6118) 		 
Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах

З. Н. Соколоваa, Д. А. Веселовa, Н. А. Пихтинa, И. С. Тарасовa, Л. В. Асрянb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, USA
PDF полного текста (197 kB) Список цитирования (14)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44661.8522
Аннотация: Представлены результаты расчетов рабочих характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых ямах с учетом роста внутренних оптических потерь в волноводной области с увеличением тока накачки. Использовано условие глобальной электронейтральности в структуре, которое заключается в равенстве суммарного заряда электронов в активной и волноводной областях суммарному заряду дырок в этих двух областях. Получено хорошее согласие измеренной и рассчитанной ватт-амперных характеристик.
Поступила в редакцию: 19.01.2017
Принята в печать: 25.01.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 7, Pages 959–964
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617070326
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: З. Н. Соколова, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 998–1003; Semiconductors, 51:7 (2017), 959–964
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SokVesPik17}
\by З.~Н.~Соколова, Д.~А.~Веселов, Н.~А.~Пихтин, И.~С.~Тарасов, Л.~В.~Асрян
\paper Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 998--1003
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6118}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44661.8522}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29772376}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 959--964
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617070326}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6118
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i7/p998
    • Эта публикация цитируется в следующих 14 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:62
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024