|
Квантовая электроника, 2016, том 46, номер 9, страницы 777–781
(Mi qe16469)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Лазеры
Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры
З. Н. Соколоваa, Н. А. Пихтинa, И. С. Тарасовa, Л. В. Асрянb a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
b Virginia Polytechnic Institute and State University Blacksburg, USA
Аннотация:
Проведен расчёт пороговых характеристик полупроводникового лазера на квантовой яме (КЯ) с использованием условия глобальной электронейтральности, которое включает носители заряда как в активной, так и в волноводной области и, таким образом, представляет собой равенство полного заряда электронов полному заряду дырок в этих двух областях. Показано, что на пороге генерации концентрации электронов и в КЯ, и в волноводной области не равны концентрациям дырок в этих областях, т. е. в каждой из областей локальная электронейтральность нарушается. В зависимости от скоростей захвата носителей из волноводной области в КЯ, концентрация электронов может быть как выше, так и ниже концентрации дырок (и в КЯ, и в волноводной области). Показано, что заряд носителей каждого знака в волноводной области превышает таковой в КЯ.
Ключевые слова:
полупроводниковые лазеры, квантовые ямы, условия электронейтральности.
Поступила в редакцию: 15.07.2016
Образец цитирования:
З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры”, Квантовая электроника, 46:9 (2016), 777–781 [Quantum Electron., 46:9 (2016), 777–781]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe16469 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v46/i9/p777
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 279 | PDF полного текста: | 68 | Список литературы: | 36 | Первая страница: | 11 |
|