Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2016, том 46, номер 9, страницы 777–781 (Mi qe16469)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Лазеры

Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры

З. Н. Соколоваa, Н. А. Пихтинa, И. С. Тарасовa, Л. В. Асрянb

a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
b Virginia Polytechnic Institute and State University Blacksburg, USA
Список литературы:
Аннотация: Проведен расчёт пороговых характеристик полупроводникового лазера на квантовой яме (КЯ) с использованием условия глобальной электронейтральности, которое включает носители заряда как в активной, так и в волноводной области и, таким образом, представляет собой равенство полного заряда электронов полному заряду дырок в этих двух областях. Показано, что на пороге генерации концентрации электронов и в КЯ, и в волноводной области не равны концентрациям дырок в этих областях, т. е. в каждой из областей локальная электронейтральность нарушается. В зависимости от скоростей захвата носителей из волноводной области в КЯ, концентрация электронов может быть как выше, так и ниже концентрации дырок (и в КЯ, и в волноводной области). Показано, что заряд носителей каждого знака в волноводной области превышает таковой в КЯ.
Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, квантовые ямы, условия электронейтральности.
Финансовая поддержка Номер гранта
Uinted States Army Research Office W911NF-13-1-0445
Работа выполнена в соответствии с Государственной программой ФТИ им. А. Ф. Иоффе. Л. В. Асрян благодарит Исследовательский офис армии США (U.S. Army Research Office, грант № W911NF-13-1-0445) за поддержку данной работы.
Поступила в редакцию: 15.07.2016
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2016, Volume 46, Issue 9, Pages 777–781
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16181
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры”, Квантовая электроника, 46:9 (2016), 777–781 [Quantum Electron., 46:9 (2016), 777–781]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16469
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v46/i9/p777
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:279
    PDF полного текста:68
    Список литературы:36
    Первая страница:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024