|
Письма в Журнал технической физики, 1986, том 12, выпуск 4, страницы 210–215
(Mi pjtf50)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Низкопороговые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ лазеры раздельного ограничения с $\lambda=1.3$ мкм и $\lambda=1.55$ мкм
($I_{\text{пор.}}=600-700\,\text{А/см}^{2}$)
Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, К. Ю. Кижаев, А. Б. Нивин, С. А. Никишин, А. В. Овчинников, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, А. В. Чудинов Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Поступила в редакцию: 18.12.1985
Образец цитирования:
Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, К. Ю. Кижаев, А. Б. Нивин, С. А. Никишин, А. В. Овчинников, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, А. В. Чудинов, “Низкопороговые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ лазеры раздельного ограничения с $\lambda=1.3$ мкм и $\lambda=1.55$ мкм
($I_{\text{пор.}}=600-700\,\text{А/см}^{2}$)”, Письма в ЖТФ, 12:4 (1986), 210–215
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf50 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v12/i4/p210
|
|