|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
И. П. Сошников, К. П. Котляр, Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, В. В. Лендяшова, А. В. Вершинин, В. В. Лысак, Д. А. Кириленко, Н. А. Берт, Г. Э. Цырлин, “Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 785–788   ; I. P. Sotnikov, K. P. Kotlyar, R. R. Reznik, V. O. Gridchin, V. V. Lendyashova, A. V. Vershinin, V. V. Lysak, D. A. Kirilenko, N. A. Bert, G. E. Cirlin, “Specific features of structural stresses in InGaN/GaN nanowires”, Semiconductors, 55:10 (2021), 795–798 |
3
|
| 2. |
И. В. Илькив, К. П. Котляр, Д. А. Кириленко, А. В. Осипов, И. П. Сошников, А. Н. Терпицкий, Г. Э. Цырлин, “Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 621–624 ; I. V. Ilkiv, K. P. Kotlyar, D. A. Kirilenko, A. V. Osipov, I. P. Sotnikov, A. N. Terpitsky, G. E. Cirlin, “Formation of hexagonal germanium on AlGaAs nanowire surfaces by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 55:8 (2021), 678–681 |
2
|
| 3. |
Р. Р. Резник, К. М. Морозов, И. Л. Крестников, К. П. Котляр, И. П. Сошников, L. Leandro, N. Akopian, Г. Э. Цырлин, “Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 47–50 ; R. R. Reznik, K. M. Morozov, I. L. Krestnikov, K. P. Kotlyar, I. P. Sotnikov, L. Leandro, N. Akopian, G. E. Cirlin, “Directional radiation from GaAs quantum dots in AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 405–408 |
1
|
|
2020 |
| 4. |
V. G. Dubrovskii, R. R. Reznik, N. V. Kryzhanovskaya, I. V. Shtrom, E. D. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, G. E. Cirlin, “MBE-grown In$_x$ Ga$_{1-x}$ As nanowires with 50% composition”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 542 ; Semiconductors, 54:6 (2020), 650–653 |
2
|
| 5. |
Е. В. Фомин, А. Д. Бондарев, И. П. Сошников, N. B. Bercu, L. Giraudet, M. Molinari, T. Maurer, Н. А. Пихтин, “Применение покрытий AlN для защиты поверхности гетероструктур системы AlGaAs/GaAs от взаимодействия с атмосферным кислородом”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020), 16–19 ; E. V. Fomin, A. D. Bondarev, I. P. Sotnikov, N. B. Bercu, L. Giraudet, M. Molinary, T. Maurer, N. A. Pikhtin, “Using AlN coatings to protect the surface of AlGaAs/GaAs system heterostructures from interaction with atmospheric oxygen”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 268–271 |
1
|
|
2019 |
| 6. |
А. В. Редьков, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, К. П. Котляр, А. И. Лихачев, А. В. Нащекин, И. П. Сошников, “Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 61:3 (2019), 433–440 ; A. V. Redkov, A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, K. P. Kotlyar, A. I. Lihachev, A. V. Nashchekin, I. P. Soshnikov, “Studying evolution of the ensemble of micropores in a SiC/Si structure during its growth by the method of atom substitution”, Phys. Solid State, 61:3 (2019), 299–306 |
15
|
| 7. |
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, М. З. Шварц, И. П. Сошников, И. П. Смирнова, Ф. Э. Комиссаренко, А. В. Анкудинов, “Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1714–1717 ; L. B. Karlina, A. S. Vlasov, M. Z. Shvarts, I. P. Soshnikov, I. P. Smirnova, F. E. Komissarenko, A. V. Ankudinov, “Ga(In)AsP lateral nanostructures as the optical component of GaAs-based photovoltaic converters”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1705–1708 |
2
|
| 8. |
Н. Р. Григорьева, И. В. Штром, Р. В. Григорьев, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, Н. В. Сибирев, Г. Э. Цырлин, “Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 37–40 ; N. R. Grigor'eva, I. V. Shtrom, R. V. Grigor'ev, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, N. V. Sibirev, G. E. Cirlin, “The influence of EL2 centers on the photoelectric response of an array of radial GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 835–838 |
|
2018 |
| 9. |
А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, В. И. Николаев, А. В. Осипов, Е. В. Осипова, И. П. Сошников, “Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, синтезированных на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 851–856 ; A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, V. I. Nikolaev, A. V. Osipov, E. V. Osipova, I. P. Soshnikov, “Study of the anisotropic elastoplastic properties of $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ films synthesized on SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 852–857 |
25
|
| 10. |
С. К. Евстропьев, А. С. Кулагина, К. С. Евстропьев, Е. В. Колобкова, Н. В. Никоноров, И. П. Сошников, К. В. Орешкина, А. И. Хребтов, “Влияние молекулярного веса поливинилпирролидона на структуру, спектральные и нелинейно-оптические свойства композиционных материалов, содержащих наночастицы CdS/ZnS”, Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018), 608–614 ; S. K. Evstropiev, A. S. Kulagina, K. S. Evstropyev, E. V. Kolobkova, N. V. Nikonorov, I. P. Soshnikov, K. V. Oreshkina, A. I. Khrebtov, “The influence of polyvinylpyrrolidone molecular weight on the structure and the spectral and nonlinear optical properties of composite materials with CdS/ZnS nanoparticles”, Optics and Spectroscopy, 125:5 (2018), 640–645 |
3
|
| 11. |
Н. В. Сибирев, К. П. Котляр, А. А. Корякин, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1464–1468 ; N. V. Sibirev, K. P. Kotlyar, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, E. V. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Solar cell based on core/shell nanowires”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1568–1572 |
4
|
| 12. |
Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Д. А. Кириленко, П. А. Алексеев, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1317–1320 ; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, D. A. Kirilenko, P. A. Alekseev, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of GaP and InP nanowires on a SiC substrate with a graphene layer”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1428–1431 |
2
|
| 13. |
Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, Д. А. Кириленко, Н. В. Крыжановская, “Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1304–1307 ; G. E. Cirlin, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Sotnikov, D. A. Kirilenko, N. V. Kryzhanovskaya, “Phosphorus-based nanowires grown by molecular-beam epitaxy on silicon”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1416–1419 |
2
|
| 14. |
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, И. П. Сошников, И. П. Смирнова, Б. Я. Бер, А. Б. Смирнов, “Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP–GaAs в квазиравновесных условиях”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1244–1249 ; L. B. Karlina, A. S. Vlasov, I. P. Soshnikov, I. P. Smirnova, B. Ya. Ber, A. B. Smirnov, “Nanostructure growth in the Ga(In)AsP–GaAs system under quasi-equilibrium conditions”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1363–1368 |
3
|
| 15. |
R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 522 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 651–653 |
2
|
| 16. |
P. A. Alekseev, V. A. Sharov, P. Geydt, M. S. Dunaevskiy, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, V. V. Lysak, E. Lähderanta, G. E. Cirlin, “GaAs wurtzite nanowires for hybrid piezoelectric solar cells”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 511 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 609–611 |
6
|
| 17. |
I. P. Soshnikov, K. P. Kotlyar, N. A. Bert, D. A. Kirilenko, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “The features of GaAs nanowire SEM images”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 510 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 605–608 |
| 18. |
Я. В. Лубянский, А. Д. Бондарев, И. П. Сошников, Н. А. Берт, В. В. Золотарев, Д. А. Кириленко, К. П. Котляр, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 196–200 ; Ya. V. Lubyanskiy, A. D. Bondarev, I. P. Sotnikov, N. A. Bert, V. V. Zolotarev, D. A. Kirilenko, K. P. Kotlyar, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “Oxygen nitrogen mixture effect on aluminum nitride synthesis by reactive ion plasma deposition”, Semiconductors, 52:2 (2018), 184–188 |
7
|
| 19. |
Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:3 (2018), 55–61 ; R. R. Reznik, G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. E. Zhukov, “Coherent growth of InP/InAsP/InP nanowires on a Si (111) surface by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 112–114 |
12
|
|
2017 |
| 20. |
Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Штром, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1525–1529 ; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Shtrom, I. P. Sotnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1472–1476 |
1
|
|
2016 |
| 21. |
И. П. Сошников, А. А. Семенов, П. Ю. Белявский, И. В. Штром, К. П. Котляр, В. В. Лисак, Д. А. Кудряшов, С. И. Павлов, А. В. Нащекин, Г. Э. Цырлин, “Автокаталитический синтез нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2314–2318 ; I. P. Sotnikov, A. A. Semenov, P. Yu. Belyavskii, I. V. Shtrom, K. P. Kotlyar, V. V. Lisak, D. A. Kudriashov, S. I. Pavlov, A. V. Nashchekin, G. E. Cirlin, “Fabrication of the structures with autocatalytic CdTe nanowires using magnetron sputtering deposition”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2401–2405 |
2
|
| 22. |
Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, Г. Э. Цырлин, “Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика твердого тела, 58:10 (2016), 1886–1889 ; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, G. E. Cirlin, “Growth and optical properties of filamentary GaN nanocrystals grown on a hybrid SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy”, Phys. Solid State, 58:10 (2016), 1952–1955 |
11
|
| 23. |
И. В. Штром, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1644–1646 ; I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1619–1621 |
1
|
| 24. |
Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, И. П. Сошников, “Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1441–1444 ; G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, I. P. Sotnikov, “Hybrid AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires with a quantum dot grown by molecular beam epitaxy on silicon”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1421–1424 |
15
|
| 25. |
С. К. Евстропьев, И. П. Сошников, А. И. Хребтов, “Формирование покрытий на основе ZnO с использованием растворов, содержащих высокомолекулярный поливинилпирролидон”, Письма в ЖТФ, 42:9 (2016), 49–55 ; S. K. Evstropiev, I. P. Soshnikov, A. I. Khrebtov, “The formation of ZnO-based coatings from solutions containing high-molecular polyvinylpyrrolidone”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 468–470 |
4
|
|
2002 |
| 26. |
Г. А. Любас, Н. Н. Леденцов, Д. Литвинов, Д. Гертцен, И. П. Сошников, В. М. Устинов, “Фотолюминесценция и структура гетерограниц (311)A- и (311)B-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 75:4 (2002), 211–216 ; G. A. Lyubas, N. N. Ledentsov, D. Litvinov, D. Gerthsen, I. P. Sotnikov, V. M. Ustinov, “Photoluminescence and the structure of heterointerfaces of (311)A-and (311)B-oriented GaAs/AlAs superlattices”, JETP Letters, 75:4 (2002), 179–183  |
8
|
|
Обратная связь: