Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2002, том 75, выпуск 4, страницы 211–216 (Mi jetpl3038)  
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Фотолюминесценция и структура гетерограниц (311)A- и (311)B-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs

Г. А. Любасa, Н. Н. Леденцовb, Д. Литвиновc, Д. Гертценc, И. П. Сошниковb, В. М. Устиновb

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
c University of Karlsruhe
PDF полного текста (283 kB) Список цитирования (8)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Методами фотолюминесценции и высокоразрешающей электронной микроскопии на просвет с применением фурье-обработки изображений исследованы сверхрешетки GaAs/AlAs, выращенные одновременно на подложках GaAs с ориентацией (311)A и (311)B. Для (311)B сверхрешеток была обнаружена периодическая корругированность (гофрировка) гетерограниц. Сравнение структуры (311)A и (311)B сверхрешеток показало, что корругированность имеет место в обоих случаях, а ее период вдоль направления $[00\bar{1}]$ равен 3.2 нм. Причем в (311)B сверхрешетках корругированность выражена слабее и дополнительно присутствует модуляция (длинноволновый беспорядок) с характерным латеральным размером, превышающим 10 нм. Наличие длинноволнового беспорядка в (311)B сверхрешетках делает слабой вертикальную корреляцию областей, богатых GaAs и AlAs, которая хорошо наблюдается в (311)A. Оптические свойства (311)B сверхрешеток похожи на (100) и коренным образом отличаются от (311)A. В отличие от (311)В, для (311)A сверхрешеток наблюдается сильная поляризационная анизотропия фотолюминесценции. Показано, что в (311)A корругированных сверхрешетках с тонкими слоями GaAs и AlAs именно корругированность гетерограниц, а не кристаллографическая ориентация поверхности (311), играет определяющую роль в их оптических свойствах.
Поступила в редакцию: 11.12.2001
Исправленный вариант: 03.01.2002
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2002, Volume 75, Issue 4, Pages 179–183
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1475718
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 75.55.Cr
Образец цитирования: Г. А. Любас, Н. Н. Леденцов, Д. Литвинов, Д. Гертцен, И. П. Сошников, В. М. Устинов, “Фотолюминесценция и структура гетерограниц (311)A- и (311)B-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 75:4 (2002), 211–216; JETP Letters, 75:4 (2002), 179–183
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LyuLedLit02}
\by Г.~А.~Любас, Н.~Н.~Леденцов, Д.~Литвинов, Д.~Гертцен, И.~П.~Сошников, В.~М.~Устинов
\paper Фотолюминесценция и структура гетерограниц (311)A- и (311)B-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2002
\vol 75
\issue 4
\pages 211--216
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3038}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2002
\vol 75
\issue 4
\pages 179--183
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1475718}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-0039482876}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3038
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v75/i4/p211
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025